[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括第一芯片，所述第一芯片包括层叠设置的第一芯片基底和第一互联键合层，所述第一互联键合层内设有至少一个第一金属层以及至少一个第一附加器件，所述第一金属层和所述第一芯片基底连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一附加器件包括电容器、二极管、电阻器和薄膜晶体管中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括与所述第一芯片键合的第二芯片，所述第二芯片包括层叠设置的第二芯片基底和第二互联键合层，所述第二互联键合层内设有至少一个第二金属层，所述第二金属层与所述第二芯片基底连接；所述第二互联键合层位于所述第一互联键合层远离所述第一芯片基底的表面上，且所述第一金属层和所述第二金属层连接，所述第一附加器件与所述第一金属层、和/或所述第二金属层连接。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一附加器件通过所述第二金属层中的连接通孔与所述第二金属层进行连接。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一附加器件设置在所述第一金属层表面，以与所述第一金属层进行连接。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二互联键合层内还设有至少一个第二附加器件，所述第二附加器件与所述第二金属层、和/或所述第一金属层连接。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括与所述第二芯片键合的第三芯片、以及第四互联键合层，所述第三芯片包括层叠设置的第三芯片基底和第三互联键合层，所述第四互联键合层位于所述第三芯片基底和所述第三互联键合层之间。

8.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一芯片，所述第一芯片包括层叠设置的第一芯片基底和第一互联键合层，所述第一互联键合层内设有至少一个第一金属层，所述第一金属层和所述第一芯片基底连接；

在所述第一互联键合层内形成至少一个第一附加器件。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一附加器件包括电容器、二极管、电阻器和薄膜晶体管中的至少一个。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：

提供第二芯片，所述第二芯片包括层叠设置的第二芯片基底和第二互联键合层，所述第二互联键合层内设有至少一个第二金属层，所述第二金属层与所述第二芯片基底连接；

将所述第一互联键合层和所述第二互联键合层相对叠加，以使所述第一芯片和所述第二芯片键合，其中，所述第一金属层和所述第二金属层连接，所述第一附加器件与所述第一金属层、和/或所述第二金属层连接。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一互联键合层和所述第二互联键合层中制作连接通孔；

当所述第一芯片和所述第二芯片键合时，所述第一金属层和所述第二金属层通过所述连接通孔进行连接，所述第一附加器件通过所述第二金属层中的所述连接通孔与所述第二金属层进行连接。