[发明专利]封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010784025.0 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112466836A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 许峯诚;郑心圃;陈硕懋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装结构，包括：
一封装基板；
一中介基板，设置在该封装基板上方；
一第一半导体装置以及一第二半导体装置，设置在该中介基板上方，其中该第一半导体装置以及该第二半导体装置是不同类型的电子装置；以及
一保护层，形成在该中介基板上方，以包围该第一半导体装置以及该第二半导体装置，其中该第二半导体装置自该保护层暴露，而该第一半导体装置并未自该保护层暴露。
2.如权利要求1所述的封装结构，其中该保护层包括覆盖该第一半导体装置的一顶表面的一覆盖部以及暴露出该第二半导体装置的一顶表面的一开口。
3.如权利要求2所述的封装结构，其中该覆盖部直接地设置在该第一半导体装置的该顶表面上。
4.如权利要求2所述的封装结构，还包括形成在该覆盖部与该第一半导体装置的该顶表面之间的一覆盖膜，且该覆盖膜包括不同于该保护层的材料。
5.如权利要求4所述的封装结构，其中该覆盖膜覆盖该第一半导体装置的该顶表面的一部分。
6.如权利要求4所述的封装结构，其中该覆盖膜具有较该保护层高的硬度。
7.一种封装结构，包括：
一封装基板；
一中介基板，设置在该封装基板上方；
一第一半导体装置以及一第二半导体装置，设置在该中介基板上方；
一覆盖膜，形成在该第一半导体装置的一顶表面上；以及
一保护层，形成在该中介基板上方，以包围该第一半导体装置、该覆盖膜以及该第二半导体装置，其中该第二半导体装置自该保护层暴露，而该第一半导体装置并未自该保护层暴露。
8.如权利要求7所述的封装结构，其中该保护层包括暴露出该覆盖膜的一顶表面的一第一开口以及暴露出该第二半导体装置的一顶表面的一第二开口。
9.如权利要求8所述的封装结构，其中该保护层的一顶表面与该覆盖膜的该顶表面以及该第二半导体装置的该顶表面齐平。
10.一种形成封装结构的方法，包括：
堆叠设置在一封装基板上方的一中介基板；
在该中介基板上方设置一第一半导体装置以及一第二半导体装置；
在该中介基板上方形成一保护层，以包围该第一半导体装置以及该第二半导体装置；以及
移除该保护层的一部分，使得该第二半导体装置自该保护层暴露，而该第一半导体装置并未自该保护层暴露。
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