[发明专利]刻蚀槽在审
申请号: | 202010784519.9 | 申请日: | 2020-08-06 |
公开(公告)号: | CN111883467A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 邹威;刘杰;胡永红;周建;赵健;石云天 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 赵洋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀 | ||
1.一种刻蚀槽,其包括刻蚀槽本体和盖板,所述盖板可拆卸的设置于所述刻蚀槽本体的开口上,其特征在于:
所述盖板具有第一表面,当所述盖板罩盖于所述刻蚀槽本体的开口时,所述第一表面朝向所述刻蚀槽本体;
所述第一表面上设有吹气装置,所述吹气装置设有吹气口,用于向所述第一表面吹气,以形成平行所述第一表面且覆盖所述第一表面的气膜。
2.根据权利要求1所述的刻蚀槽,其特征在于:
形成所述气膜的气体具有第一预设温度,用于改变所述第一表面的温度,以使所述第一表面上无法形成液珠。
3.根据权利要求1所述的刻蚀槽,其特征在于:
所述吹气装置为气刀装置,所述气刀装置具有平行于所述第一表面的气刀缝隙。
4.根据权利要求3所述的刻蚀槽,其特征在于:
所述气刀装置沿所述第一表面的第一边缘设置,所述气刀缝隙由所述第一边缘向垂直所述第一边缘且与所述第一边缘相对的第三边缘的方向延伸。
5.根据权利要求4所述的刻蚀槽,其特征在于:
所述气刀装置包括第一安装座;
所述第一安装座朝向所述第一表面且靠近所述第一边缘的一侧与所述第一表面相贴合,所述第一安装座朝向所述第一表面且远离所述第一边缘的一侧与所述第一表面间隙配合,以形成所述气刀缝隙;
所述第一安装座具有第一进气口,所述第一进气口用于连接外部气源;
其中,所述第一进气口与所述气刀缝隙相连通。
6.根据权利要求5所述的刻蚀槽,其特征在于:
所述第一安装座具有第一容置腔;
所述第一容置腔与所述第一进气口相连通;
所述第一容置腔通过一倾斜的气流通道与所述气刀缝隙相连通。
7.根据权利要求1所述的刻蚀槽,其特征在于
所述刻蚀槽本体上设有排气装置;
所述排气装置平行于所述第一表面设有第二进气口,所述第二进气口与所述刻蚀槽本体外部相连通,用于将形成所述气膜的气体排出所述刻蚀槽本体。
8.根据权利要求7所述的刻蚀槽,其特征在于:
所述刻蚀槽本体的开口具有第二边缘,当所述盖板罩盖于所述刻蚀槽本体的开口时,所述开口的第二边缘与所述吹气装置相对设置;
所述排气装置沿所述刻蚀槽本体开口的第二边缘设置,且所述第二进气口与所述吹气口相对设置。
9.根据权利要求7所述的刻蚀槽,其特征在于:
所述排气装置包括第二安装座;
所述第二安装座由所述第二边缘向远离所述刻蚀槽本体的方向延伸,所述第二安装座背离所述第二边缘的一端与所述第一表面相适配;
所述第二进气口设置于所述第二安装座朝向所述吹气口的一侧,且所述第二安装座上除朝向所述吹气口和朝向所述第一表面之外的至少一侧设有排气口,所述排气口与所述第二进气口相连通。
10.根据权利要求9所述的刻蚀槽,其特征在于:
所述第二安装座具有第二容置腔;
所述第二容置腔与所述第二进气口以及所述排气口相连通。
11.根据权利要求10所述的刻蚀槽,其特征在于:
所述容置腔在垂直所述第二边缘的方向上截面为圆形。
12.根据权利要求7所述的刻蚀槽,其特征在于:
所述排气装置朝向所述吹气装置的一侧设有调节件;
所述调节件沿垂直所述第一表面的方向活动设置于所述排气装置上,用于在垂直所述第一表面的方向上往复运动,以调节所述第二进气口的大小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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