[发明专利]一种多层外延MOS管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种多层外延MOS管器件的制备方法，其特征在于，包括：

S10.在SOI衬底上，形成覆盖所述SOI衬底的第一外延层，在所述第一外延层上开垂直槽，外延填充，将槽填满；在第一外延层上形成第二外延层；

S20.在所述第二外延层上形成深沟槽在所述第二外延层上形成源区第二类型阱，进行离子注入工艺，形成漏区第二类缓冲区和源区第二类型缓冲区，所述源区第二类型缓冲区位于所述源区第二类型阱中；

S30.进行离子注入工艺，形成漏区第一类型阱和源区第一类型阱，所述漏区第一类型阱位于所述漏区第二类缓冲区中，所述源区第一类型阱位于所述源区第二类型缓冲区中；

S40.在所述漏区结构的位于临近源区结构的一侧上形成场氧；

S50.在所述漏区结构和源区结构之间的第二外延层上形成双栅氧结构，包括厚栅氧和薄栅氧，所述厚栅氧设置于所述场氧和所述薄栅氧之间；

S60.在所述厚栅氧和所述场氧上形成栅极机构；

S70.进行离子注入工艺，在所述漏区第一类型阱中形成漏区第一类型缓冲区；

S80.进行离子注入工艺，在所述漏区第一类型缓冲区中形成漏区第一类浓注入区，在所述源区第二类型缓冲区中形成相邻设置的源区第一类型浓注入区和源区第二类型浓注入区；

S90.在所述SOI衬底上沉积形成层间介质层。

2.根据权利要求1所述的一种多层外延MOS管器件的制备方法，其特征在于，所述SOI衬底包括：

衬底片，所述衬底片为普通P型衬底片；

隐埋氧化层，所述隐埋氧化层同所述衬底层连接，所述隐埋氧化层通过热氧化形成，采用二氧化硅材质；

顶部硅层，所述顶部硅层同所述隐埋氧化层连接，所述顶部硅层同所述第一外延层连接。

3.根据权利要求2所述的一种多层外延MOS管器件的制备方法，其特征在于，所述第一衬底层为n型外延层，在所述第一外延层上开垂直槽，外延填充p，将槽填满。

4.根据权利要求1所述的一种多层外延MOS管器件的制备方法，其特征在于，所述垂直槽为圆形槽，所述垂直槽不少于一个。

5.根据权利要求1所述的一种多层外延MOS管器件，其特征在于，所述薄栅氧设置于源区第一类型浓注入区和源区第二类型浓注入区上，所述厚栅氧和所述薄栅氧之间设置有沟槽隔离机构。

6.根据权利要求1所述的一种多层外延MOS管器件，其特征在于，所述厚栅氧上设置有多晶栅，所述多晶栅、薄栅氧、沟槽隔离机构表面沉积第一基质层，所述第一介质层为氮化硅，涂布光刻胶并光刻出薄栅氧MOS管对应的源区图形，通过湿法刻蚀工艺去除未被光刻胶遮蔽的第一介质层。

7.根据权利要求1所述的一种多层外延MOS管器件，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺选用磷酸溶液作为刻蚀液。

8.根据权利要求1所述的一种多层外延MOS管器件，其特征在于，通过湿法刻蚀工艺去除未被光刻胶遮蔽的第一介质层后，去除光刻胶并重新涂布光刻胶，并光刻出厚栅氧MOS管对应的源区图形，通过干法刻蚀形成内偏移侧墙。

9.根据权利要求1所述的一种多层外延MOS管器件，其特征在于，所述形成内偏移侧墙后，沉积第二介质层并通过干法刻蚀工艺形成薄栅氧侧墙和厚栅氧侧墙的外侧墙，所述第二介质层包括上下层叠的氧化硅层和氮化硅层。

10.一种多层外延MOS管器件，其特征在于，根据权利要求1~9任一项制备方法制成的多层外延MOS管器件。