[发明专利]一种将高电压域信号转变为低电压域信号的电平转换电路

权利要求书

1.一种将高电压域信号转变为低电压域信号的电平转换电路，其特征在于：其包括：输入信号生成电路、差分输入对、镜像负载电路；输入信号生成电路向差分输入对提供两路高电压域信号，差分输入对包括n对NMOS管，镜像负载电路包括n对PMOS管，n为正整数；

一路高电压域信号接一对NMOS管之一的栅极且该NMOS管的漏极连接至一对PMOS管之一的漏极和栅极及该对PMOS管之二的栅极，另一路高电压域信号接该对NMOS管之二的栅极，该对NMOS管之二的漏极和该对PMOS管之二的漏极相连接形成输出，两个NMOS管的源极接地，两个PMOS管的源极接低压域电源。

2.根据权利要求1所述的将高电压域信号转变为低电压域信号的电平转换电路，其特征在于：n＝1时，所述输入信号生成电路包括第一NMOS管(MN0_HV)、第一PMOS管(MP0_HV)，第一NMOS管(MN0_HV)、第一PMOS管(MP0_HV)组成反向器、工作在高电压区域；所述差分输入对包括第二NMOS管(MN1_HV)、第三NMOS管(MN2_HV)；所述镜像负载电路包括第二PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP2)，工作在低电压区域；第一NMOS管源极与地连接、第一PMOS管源极与高压域电源(HV)连接，第一NMOS管栅极及第一PMOS管栅极同时连接至输入信号(IN)，第一NMOS管漏极及第一PMOS管漏极相连接后输出至第三NMOS管的栅极，第二NMOS管与第三NMOS管的源极连接至地，第二NMOS管的栅极连接至输入信号(IN)、漏极连接至第二PMOS管的漏极和栅极及第三PMOS管的栅极，第三PMOS管及第二PMOS管的漏极与低压域电源(LV)连接，第三NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极相连接形成输出信号(OUT)。

3.根据权利要求2所述的将高电压域信号转变为低电压域信号的电平转换电路，其特征在于：第二NMOS管(MN1_HV)、第三NMOS管(MN2_HV)的尺寸相同或不同。

4.根据权利要求1所述的将高电压域信号转变为低电压域信号的电平转换电路，其特征在于：n＝2时，所述输入信号生成电路包括正向输入信号(IN+)、反向输入信号(IN-)；所述差分输入对包括第一对NMOS管的第二NMOS管(MN1_HV)、第三NMOS管(MN2_HV)和第二对NMOS管的第四NMOS管(MN3_HV)、第五NMOS管(MN4_HV)，第二NMOS管与第四NMOS管尺寸相同，第三NMOS管与第五NMOS管尺寸相同；所述镜像负载电路包括第一对PMOS管的第二PMOS管(MP1)、第三PMOS管(MP2)和第二对PMOS管的第四PMOS管(MP3)、第五PMOS管(MP4)，第二PMOS管和第四PMOS管尺寸相同，第三PMOS管和第五PMOS管尺寸相同；第二NMOS管与第三NMOS管的源极连接至地，第二NMOS管的栅极连接至正向输入信号、漏极连接至第二PMOS管的漏极和栅极及第三PMOS管的栅极，第三PMOS管及第二PMOS管的漏极与低压域电源(LV)连接，第三NMOS管的栅极连接至反向输入信号、第三NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极相连接形成正向输出(OUT+)；第四NMOS管与第五NMOS管的源极连接至地，第四NMOS管的栅极连接至反向输入信号、漏极连接至第四PMOS管的漏极和栅极及第五PMOS管的栅极，第四PMOS管及第五PMOS管的漏极与低压域电源连接，第五NMOS管的栅极连接至正向输入信号、第五NMOS管的漏极与第五PMOS管的漏极相连接形成反向输出(OUT-)。

5.根据权利要求4所述的将高电压域信号转变为低电压域信号的电平转换电路，其特征在于：第二NMOS管(MN1_HV)、第三NMOS管(MN2_HV)的尺寸相同或不同；第四NMOS管(MN3_HV)、第五NMOS管(MN4_HV)的尺寸相同或不同。

6.根据权利要求1所述的将高电压域信号转变为低电压域信号的电平转换电路，其特征在于：第二NMOS管和第三NMOS管为耐高电压域电压的MOS器件。