[发明专利]一种氧化铝图形化方法

说明书

本发明涉及一种氧化铝图形化方法以及LED芯片，形成图形化的氧化铝层时，先在外延片上设置遮挡层，然后对遮挡层进行图形化处理，得到顶横截面大于底横截面的遮挡结构。由于遮挡结构可以作为屏障将外延片对应区域隐藏起来，这样在形成氧化铝层的过程中，外延片的该区域就会因为遮挡结构的遮挡而不会被氧化铝层覆盖，而其他区域因为没有被遮挡结构遮挡，会被氧化铝层覆盖。随后除去遮挡结构，就可以使得没有被氧化铝层覆盖的外延片暴露出来，进而得到图形化的氧化铝层。不需要对氧化铝层进行刻蚀就可以得到图形化的氧化铝层，避免了氧化铝图形化过程中对外延片的损伤，有利于生产出品质优秀的LED芯片。

技术领域

本发明涉及发光二极管(Light Emitting Diode，LED)领域，尤其涉及一种氧化铝图形化方法。

背景技术

制备LED芯片时，出于钝化等目的，需要在外延片上形成图形化的氧化铝(Al₂O₃)层。在相关技术中，通常是先在外延片上形成包覆外延片的氧化铝层，然后再根据需要对氧化铝层进行蚀刻，直至氧化铝层的部分区域被蚀刻掉，外露出外延片，从而得到图形化的氧化铝层。本来通常情况下会采用磷酸在高温下对氧化铝进行蚀刻，但因为衬底的材质也是氧化铝，所以如果采用湿法蚀刻，就会损伤衬底。而采用干法蚀刻氧化铝层的时候，不仅蚀刻效率低，影响LED芯片的生产效率，而且蚀刻过程也容易损伤外延片，从而降低LED芯片的品质。

因此，如何实现氧化铝层的图形化亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种氧化铝图形化方法，旨在解决相关技术中对氧化铝进行图形化处理效率不高，容易损伤外延片的问题。

一种氧化铝图形化方法，包括：

在外延片上设置遮挡层；

对遮挡层进行图形化处理至外延片上氧化铝的目标设置区暴露，得到遗留遮挡层；遗留遮挡层中包括顶横截面大于底横截面的遮挡结构，底横截面与顶横截面分别为遮挡结构距离外延片最近与最远的两个横截面；

形成覆盖目标设置区的氧化铝层；

去除遗留遮挡层。

上述氧化铝图形化方法，先通过在外延片上设置遮挡层，然后对遮挡层进行图形化处理，得到顶横截面大于底横截面的遮挡结构。由于遮挡结构的底横截面与外延片接触，因此，遮挡结构可以将外延片对应区域隐藏起来，这样在形成氧化铝层的过程中，该区域就会因为底横截面的遮挡而不会被氧化铝层覆盖，而其他区域因为没有被遮挡结构遮挡，会被氧化铝层覆盖。在后续过程中，除去遮挡结构后，就可以使得没有被氧化铝层覆盖的外延片暴露出来，进而得到图形化的氧化铝层。本申请实施例中所提供的氧化铝图形化方法，不需要对氧化铝层进行刻蚀就可以得到图形化的氧化铝层，避免了氧化铝图形化过程中对外延片的损伤，有利于生产出品质优秀的LED芯片。

可选地，去除遗留遮挡层包括：

采用粘附层粘附遮挡结构的顶横截面；

向粘附层施加远离外延片方向的拉力，直至遮挡结构断裂；

去除断裂后遗留在外延片上的残余遮挡结构。