[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010786597.2 | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN111900190A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 田雪雁;王纯阳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括设置在基底上的发光单元层和设置在所述发光单元层上的反射层,所述发光单元层包括多个对应不同颜色的发光单元,所述反射层上设置有与多个发光单元一一对应的透光孔;所述反射层远离基底的一侧设置有光调制层,所述光调制层被配置为反射蓝光波段的部分光线,透射蓝光波段以外波段的光线。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述反射层包括形成有色镜面显示的金属和氧化物的复合结构,或金属和化合物的复合结构。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述金属和氧化物的复合结构或金属和化合物的复合结构中的金属包括如下任意一种或多种:钼、铝和钛,氧化物包括如下任意一种或多种:钼氧化物、铜氧化物和铌氧化物,化合物包括金属基复合材料。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括光学胶层和封盖层,所述光调制层设置在所述反射层上,所述光学胶层设置在所述光调制层上,所述封盖层设置在所述光学胶层上。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括封盖层,所述封盖层设置在所述反射层远离基底的一侧;所述光调制层设置在所述封盖层邻近基底一侧的表面上,或者,所述光调制层设置在所述封盖层远离基底一侧的表面上。
6.根据权利要求1~5任一项所述的显示基板,其特征在于,所述光调制层包括叠设的多个子层,所述多个子层包括具有第一折射率的第一折射率层和具有第二折射率的第二折射率层,所述多个子层中的第一折射率层和第二折射率层交替设置,所述第一折射率大于所述第二折射率。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述光调制层包括叠设的第一子层、第二子层和第三子层;或者,所述光调制层包括叠设的的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层;
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层,所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第一子层的厚度为20nm~80nm,所述第二子层的厚度为80nm~120nm,所述第三子层的厚度为20nm~80nm,所述第四子层的厚度为80nm~120nm,所述第五子层的厚度为20nm~80nm;或者,所述第一子层的厚度为150nm~250nm,所述第二子层的厚度为30nm~90nm,所述第三子层的厚度为150nm~250nm,所述第四子层的厚度为30nm~90nm,所述第五子层的厚度为150nm~250nm。
9.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,在可见光范围内,所述第一折射率为1.6~2.5,所述第二折射率为1.3~1.5。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9任一项所述的显示基板。
11.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上依次形成发光单元层和设置在所述发光单元层上的反射层,所述发光单元层包括多个对应不同颜色的发光单元,所述反射层上设置有与多个发光单元一一对应的透光孔;
形成光调制层,所述光调制层被配置为反射蓝光波段的部分光线,透射蓝光波段以外波段的光线。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,形成光调制层,包括:
在所述反射层上依次形成第一子层、第二子层和第三子层;或者,在所述反射层上依次形成第一子层、第二子层、第三子层、第四子层和第五子层;
所述第一子层、第三子层和第五子层为具有第一折射率的第一折射率层,所述第二子层和第四子层为具有第二折射率的第二折射率层,所述第一折射率大于所述第二折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的