[发明专利]基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法

权利要求书

1.一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）石墨烯的制备与转移：将铜箔清洗干净后，在管式炉中通过CVD方法生长出石墨烯，在石墨烯/铜箔上旋涂一层100mg/mL的PMMA，在加热台上烘烤后，再将PMMA/石墨烯/铜箔放入5mol/L的FeCl₃溶液中，把铜箔刻蚀掉，刻蚀后的PMMA/石墨烯放去离子水中清洗，去除FeCl₃和杂质，然后用稀盐酸泡，进一步去除FeCl₃，再用去离子水清洗，用SiO₂/Si捞起石墨烯/PMMA，风干后进行低压退火除胶得到石墨烯/SiO₂/Si；

（2）ZnS材料与Au材料的蒸镀：将石墨烯/SiO₂/Si两端石墨烯掩膜，只留2mm宽的区域镀膜，将样品固定在电子束蒸发镀膜机腔体的蒸发基板上，利用电子束蒸发镀膜法，在石墨烯/SiO₂/Si上蒸镀ZnS和Au；

（3）ZnS纳米线薄膜的生长：将0.5g ZnS粉末、Au/ZnS/石墨烯/SiO₂/Si放管式炉中，通过PVD的方法生长ZnS纳米线薄膜；

（4）光响应测试：用紫外灯光照进行光响应测试。

2.根据权利要求1所述的一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中旋涂PMMA的转速为500转/min转6秒和2000转/min转40秒；在石墨烯/铜箔上旋涂PMMA后，在加热台上烘烤5-6分钟，温度在167-173℃。

3.根据权利要求1所述的一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中退火除胶前先100℃烘烤30 min，再170℃烘烤30min，退火除胶条件为396-404℃通40 sccm 含50%氢气的氩气持续2小时。

4.根据权利要求1所述的一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中刻蚀后的PMMA/石墨烯放去离子水中清洗两遍，每遍5-6分钟，然后用稀盐酸泡5-6分钟，再用去离子水清洗两遍去除稀盐酸。

5.根据权利要求1所述的一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中蒸镀的ZnS和Au的厚度分别为60nm和2nm，速率分别为0.3-0.4Å/s和0.4-0.5Å/s。

6.根据权利要求1所述的一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中ZnS粉末位于管式炉中心，Au/ZnS/石墨烯/SiO₂/Si位于距中心25cm处。

7.根据权利要求1所述的一种基于ZnS纳米线/石墨烯异质结光探测器的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中测试前在掩膜两端石墨烯区域滴银胶做电极。