[发明专利]基于单极型晶体管的电压频率转换器电路、方法及芯片有效
申请号: | 202010786764.3 | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN112104354B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 胡辉 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 单极 晶体管 电压 频率 转换器 电路 方法 芯片 | ||
本发明公开了一种基于单极型晶体管的电压频率转换器电路、方法及芯片,其中电压频率转换器电路包括:积分器,积分器包括放大器、电阻和电容,电容的一端连接在放大器的反相输入端,电容的另一端连接在放大器的输出端,电阻的一端与放大器的反相输入端连接;施密特触发器,放大器的输出端与施密特触发器的输入端连接;电子开关,施密特触发器的输出端与电子开关的控制端连接,电子开关的第一端与电容的一端连接,电子开关的第二端与电容的另一端连接。本发明通过施密特触发器的数字输出按周期启动和复位积分器,从而产生振荡,震荡频率与输入电压高度线性相关,极大地提高分辨率,可广泛应用于半导体集成电路领域。
技术领域
本发明涉及半导体集成电路领域,尤其涉及一种基于单极型晶体管的电压频率转换器电路、方法及芯片。
背景技术
与传统的硅互补氧化物半导体(CMOS)技术相比,薄膜晶体管技术具有吸引人的特性,包括柔韧性,透明性,重量轻,超薄尺寸,可拉伸性以及大面积低成本制造的能力。由于这些优点,它们在可穿戴传感器应用中很有前途。尽管薄膜技术有很多优势,但缺少高性能的互补器件在大多数情况下对电路设计提出了挑战。例如,a-Si TFT技术,氧化物TFT技术主要器件类型为n型晶体管;而有机TFT技术,碳纳米管技术主要器件类型则为p型晶体管。因此,通常情况下,薄膜晶体管电路仅能基于单极型晶体管实现,这意味着传统CMOS电路设计技术不再适用,相比成熟的CMOS集成电路设计技术,薄膜晶体管集成电路的设计面临很多挑战。
本发明仅以纯n型电路为例进行讨论,对于纯p型电路,只需将电路上下翻转即可,因此不再做详述。
为了改善信号完整性,应使用接口电路将传感器的模拟输出转换为数字代码。电压-频率转换器作为一种接口电路,可以将模拟输入转换为一系列具有不同频率的脉冲。而且,与其他类型的转换器相比,其具有简单紧凑的结构。通过组合片外计数器,可以轻松实现模数转换器。目前,基于单极型薄膜晶体管的电压-频率转换器的几种常用的结构及其缺点简述如下:1、利用器件的背栅调节振荡频率,此方法会增加电路制造工艺复杂性,并且与商用的单栅技术不兼容;2、采用压控环形振荡器结构,这种结构的缺点是功耗高,因为电源电压直接由输入信号控制;3、采用张弛振荡器结构,但是其拓扑较复杂(需要外部时钟控制信号),且线性度较差;4、采用基于有源电感的LC的结构,但是,其输出频率范围很低,这限制了其应用范围。
发明内容
为了解决上述技术问题之一,本发明的目的是提供一种基于单极型晶体管的电压频率转换器电路、方法及芯片,其中电压频率转换器电路基于积分器和施密特触发器,能同时实现高分辨率,高调谐灵敏度和低功耗。
本发明所采用的技术方案是:
一种基于单极型晶体管的电压频率转换器电路,包括:
积分器,所述积分器包括放大器、电阻和电容,所述电容的一端连接在所述放大器的反相输入端,所述电容的另一端连接在所述放大器的输出端,所述电阻的一端与所述放大器的反相输入端连接,所述电阻的另一端作为电压频率转换器电路的输入端;
施密特触发器,所述放大器的输出端与所述施密特触发器的输入端连接,所述施密特触发器的输出端作为所述电压频率转换器电路的输出端;
电子开关,所述施密特触发器的输出端与所述电子开关的控制端连接,所述电子开关的第一端与所述电容的一端连接,所述电子开关的第二端与所述电容的另一端连接。
进一步,所述放大器采用正反馈及两级放大结构,包括一级放大单元和二级缓冲单元。
进一步,所述放大器由N沟道场效应晶体管组成,所述一级放大单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管第一电流源和第二电流源;
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