[发明专利]基于存储器的数据读写方法、装置及存储介质

说明书

本发明提供一种基于存储器的数据读写方法、装置及存储介质，具体涉及数据存储器技术领域。该方法包括：接收对所述存储器的数据读写指令；根据所述数据读写指令，确定接口地址；获取所述存储器中坏块的块地址集合；根据所述块地址集合，确定所述接口地址在所述存储器中的目标位置；根据所述目标位置，对所述存储器进行数据读写操作。通过对存储器中的坏块进行检测，确定所有坏块的块地址集合，在对存储器进行数据读写操作时，会根据接口地址与块地址集合之间的位置关系，自动给接口地址分配一个可用的好块，从而保证了数据读写的完整性。

技术领域

本发明涉及数据存储器技术领域，尤其涉及一种基于存储器的数据读写方法、装置及存储介质。

背景技术

由于NAND(为Not AND，表示与非的意思)闪存(即Nand-flash存储器)，具有存储空间大、读取速度快、价格便宜等优点，因此，Nand-flash存储器得到了越来越广泛的应用。由于Nand-flash存储器需要依靠操作系统才可以使用，但中央处理器(central processingunit，简称CPU)的价格较贵，无法实现产品的高性价比，因而通常会使用价格较为便宜的微控制单元(Microcontroller Unit，简称MCU)来挂载Nand-flash存储器，但由于MCU的性能相对CPU要低，如果每次进行数据读写时都使用错误检查和纠正(Error Correcting Code，简称ECC)来进行纠错保护，会影响MCU的运行效率，但如果不使用ECC纠错而Nand-flash存储器中存在坏块时，直接对坏块进行读写会导致数据读写不完整。

发明内容

本发明实施例提供一种基于存储器的数据读写方法、装置及存储介质，以解决通过MCU挂载Nand-flash存储器时不能及时对坏块进行检测，导致数据读写不完整的问题。

为解决上述技术问题，本发明是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种基于存储器的数据读写方法，该方法包括：

接收对所述存储器的数据读写指令；

根据所述数据读写指令，确定接口地址；

获取所述存储器中坏块的块地址集合；

根据所述块地址集合，确定所述接口地址在所述存储器中的目标位置；

根据所述目标位置，对所述存储器进行数据读写操作。

第二方面，本发明实施例还提供一种基于存储器的数据读写装置，该装置包括：

接收模块，用于接收对所述存储器的数据读写指令；

第一确定模块，用于根据所述数据读写指令，确定接口地址；

获取模块，用于获取所述存储器中坏块的块地址集合；

第二确定模块，用于根据所述块地址集合，确定所述接口地址在所述存储器中的目标位置；

读写模块，用于根据所述目标位置，对所述存储器进行数据读写操作。

第三方面，本发明实施例还提供一种微控制单元，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述基于存储器的数据读写方法的步骤。

第四方面，本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述基于存储器的数据读写方法的步骤。