[发明专利]阵列基板以及液晶显示面板

说明书

本申请提供一种阵列基板，其包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接。

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板以及液晶显示面板。

背景技术

在显示面板中，随着分辨率或者尺寸以及频率的提高，对充电率的要求也随之升高。为提升充电率，增加栅极(GateElectrode，GE)膜层厚度及宽度是目前的主流方向。通过增加GE膜厚或者GE宽度，虽然可以在一定程度上提升充电率，但膜层增加容易导致应力增加，提升破片的风险。而GE宽度还受到开口率以及其他电性因素限制。

发明内容

有鉴于此，本申请目的在于提供一种能够提高充电率的阵列基板以及液晶显示面板。

本申请提供一种阵列基板，其包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接。

在一种实施方式中，，所述金属连接层与所述栅极位于不同层。

在一种实施方式中，所述阵列基板还包括设置于所述衬底上的遮光层和覆盖所述遮光层的缓冲层，所述缓冲层对应于所述有源层设置，所述金属连接层为所述遮光层。

在一种实施方式中，所述遮光层包括与所述栅极电连接的第一部分和与所述第一部分绝缘的第二部分，所述第一部分设置于所述栅极的正下方。

在一种实施方式中，所述遮光层包括位于所述第一部分两侧的两个第二部分，所述有源层包括半导体区和位于所述半导体区两侧的源极区和漏极区，两个所述第二部分与所述源极区和所述漏极区一一对应设置。

在一种实施方式中，所述栅极与所述遮光层沿第一方向延伸，所述第一部分与所述第二部分在第二方向上间隔设置，所述遮光层在第二方向上的宽度大于所述栅极在第二方向上的宽度且小于所述有源层在所述第二方向上的宽度。

在一种实施方式中，所述栅极与所述遮光层之间设置有绝缘层，所述绝缘层中开设有一通孔，所述栅极填充于所述过孔中并在所述过孔中与所述遮光层连接。

在一种实施方式中，所述金属连接层包括层叠设置的第一遮光层和第二遮光层，所述第一遮光层和第二遮光层对应于所述薄膜晶体管的有源层设置，所述第一遮光层与所述第二遮光层之间具有绝缘层。

在一种实施方式中，所述金属连接层与所述源极和所述漏极同层设置，或者与所述栅极同层设置。

一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括衬底以及设置于所述衬底上的一薄膜晶体管以及一金属连接层，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极以及源极和漏极，所述栅极与所述金属连接层电连接。

相较于现有技术，本申请的显示面板通过使薄膜晶体管的栅极与遮光层电连接，增加了栅极的厚度，提高了栅极充电率。此外，还通过将遮光层设计为三段式结构，能够避免栅极通电对沟道区的影响。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请第一实施方式提供的显示面板的示意图。

图2为图1的显示面板的阵列基板的剖面示意图。

图3为图1的显示面板的阵列基板的俯视图。

图4为本申请另一实施方式的显示面板的阵列基板的剖面示意图。

图5为本申请又一实施方式的显示面板的阵列基板的剖面示意图。

具体实施方式