[发明专利]集成光发射器件

权利要求书

1.一种集成光发射器件，其特征在于，沿光线的传播方向，所述光发射器件包括依次设置的激光器、光频率梳、波分解复用器和波分复用器；

所述激光器用于产生单波长光源信号；

所述光频率梳用于接收所述光源信号并将所述光源信号处理为多个等波长间隔的输出光载波信号；

所述波分解复用器用于接收多个等波长间隔的所述输出光载波信号，并将多个所述输出光载波信号分解为多路子光载波信号；所述波分复用器用于将多路所述子光波信号合成为一路光信号并输出。

2.根据权利要求1所述的集成光发射器件，其特征在于，所述光频率梳包括：

IQ调制电路，用于将接收的所述光源信号处理为多种波长的初级调制光波；

相位调制器，所述相位调制器用于对多种波长的所述初级调制光波进行相位调节，并形成多个等波长间隔的所述输出光载波信号。

3.根据权利要求1所述的集成光发射器件，其特征在于，所述波分解复用器和所述波分复用器之间设有电光调制器，所述电光调制器用于根据预设调制格式对每路所述子光载波信号进行调制。

4.根据权利要求3所述的集成光发射器件，其特征在于，所述电光调制器采用L型PN结。

5.根据权利要求4所述的集成光发射器件，其特征在于，所述L型PN结的离子注入方法包括：

制作用于形成P⁺⁺的第一载流子区的光刻胶保护层，将P型离子注入所述第一载流子区并达到预设浓度；

制作用于形成N⁺⁺的第二载流子区的光刻胶保护层，将N型离子注入所述第二载流子区并达到预设浓度；

制作用于P型低浓度掺杂的第三载流子区的光刻胶保护层，将P型离子注入所述第三载流子区；

在所述第三载流子区域的上方设置第四载流子区，将N型离子注入所述第四载流子区；

制作用于N型低浓度掺杂的第五载流子区的光刻胶保护层，将N型离子注入所述第五载流子区，并使所述第四载流子区域和所述第五载流子区中的N型离子连通。

6.根据权利要求1所述的集成光发射器件，其特征在于，所述光发射器还包括：用于将所述光信号耦合至光纤的波导光纤耦合器。

7.根据权利要求1所述的集成光发射器件，其特征在于，所述波分复用器和所述波分解复用器均包括马赫增德尔干涉件和用于温度影响补偿的移相器。

8.根据权利要求7所述的集成光发射器件，其特征在于，所述移相器采用分段电极施加电压。

9.根据权利要求1所述的集成光发射器件，其特征在于，所述激光器通过倒装焊工艺与所述光频率梳的波导耦合。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的集成光发射器件，其特征在于，所述光频率梳、所述波分复用器和所述波分解复用器均是在绝缘体上硅(SOI)晶圆上采用硅光工艺制备形成。