[发明专利]一种硒化锑薄膜的制备方法及应用在审
| 申请号： | 202010788043.6 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111876809A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李雨蒙;朱长飞;陈涛;江国顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D7/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硒化锑 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种硒化锑薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
将衬底浸入电沉积溶液中，利用电化学沉积法在衬底上沉积硒化锑薄膜；
所述电沉积溶液包括含锑化合物、含硒化合物与辅助电解质；所述辅助电解质为含有氨基的化合物。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电沉积溶液中含锑化合物的浓度为2.5～7.5mmol/L；含硒化合物的浓度为2.5～7.5mmol/L；辅助电解质的浓度为50～150mmol/L。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含锑化合物选自酒石酸锑钾；所述含硒化合物选自二氧化硒；所述辅助电解质选自氯化铵；所述衬底为表面具有电子传输层的透明导电玻璃。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述电子传输层为二氧化钛致密层。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电化学沉积法以衬底为工作电极；以饱和甘汞电极为参比电极；以铂片为辅助电极。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电化学沉积法选用Amperometrici-t Curve电化学技术；所述沉积的电压为-0.4～-0.8V。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的温度为60℃～80℃；沉积电量为150～1500mC。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
沉积硒化锑薄膜后，在惰性气体中进行热处理。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述热处理具体为：
60℃～100℃预处理5～20min后，350℃～450℃热处理5～20min。
10.权利要求1～9任意一项所述制备方法所制备的硒化锑薄膜在太阳能电池中的应用。
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