[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包含：

基板，具有中心线；

半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；

多个孔部，穿过该第二半导体层及该活性层以裸露该第一半导体层；

第一接触层，覆盖该多个孔部；

第二接触层，位于该第二半导体层上；

第一焊垫，位于该半导体叠层上以接触该第一接触层，与该第一半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的一侧；以及

第二焊垫，位于该半导体叠层上以接触该第二接触层，与该第二半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的另一侧，该第一焊垫与该第二焊垫相隔一距离，并于该半导体叠层上定义出一区域位于该第一焊垫与该第二焊垫之间，其中于该发光元件的上视图上，该多个孔部包含位于同一列上的两相邻孔部，该两相邻孔部之间包含第一最短距离，该多个孔部还包含一孔部邻近该发光元件边缘，该孔部与该第一半导体层的第一外侧壁之间包含第二最短距离，其中该第一最短距离大于该第二最短距离。

2.一种发光元件，其特征在于，包含：

基板，具有中心线；

半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；

多个孔部，穿过该第二半导体层及该活性层以裸露该第一半导体层；

第一接触层，覆盖该多个孔部；

第二接触层，位于该第二半导体层上；

第一焊垫，位于该半导体叠层上以接触该第一接触层，与该第一半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的一侧；以及

第二焊垫，位于该半导体叠层上以接触该第二接触层，与该第二半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的另一侧，该第一焊垫与该第二焊垫相隔一距离，并于该半导体叠层上定义出一区域位于该第一焊垫与该第二焊垫之间，其中于该发光元件的上视图上，该多个孔部包含位于同一列上的两相邻孔部，该两相邻孔部之间包含第一最短距离，该多个孔部还包含一孔部邻近该发光元件边缘，该孔部与该第一半导体层的第一外侧壁之间包含第二最短距离，其中该第一最短距离小于或等于该第二最短距离。

3.一种发光元件，其特征在于，包含：

基板，具有中心线；

半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；

多个孔部，穿过该第二半导体层及该活性层以裸露该第一半导体层；

第一接触层，覆盖该多个孔部；

第二接触层，位于该第二半导体层上；

第一焊垫，位于该半导体叠层上以接触该第一接触层，与该第一半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的一侧；以及

第二焊垫，位于该半导体叠层上以接触该第二接触层，与该第二半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的另一侧，该第一焊垫与该第二焊垫相隔一距离，并于该半导体叠层上定义出一区域位于该第一焊垫与该第二焊垫之间，其中于该发光元件的上视图上，该多个孔部排列成多列，该多列包含第一列与第二列，位于同一列上的两相邻孔部之间包含第一最短距离，位于该第一列上的该孔部与位于该第二列上的该孔部之间包含第二最短距离，其中该第一最短距离大于或小于该第二最短距离。

4.一种发光元件，其特征在于，包含：

基板，具有中心线；

半导体叠层，具有第一半导体层，第二半导体层，以及活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间；

多个孔部，穿过该第二半导体层及该活性层以裸露该第一半导体层；

第一接触层，覆盖该多个孔部；

第二接触层，位于该第二半导体层上；

第一焊垫，位于该半导体叠层上以接触该第一接触层，与该第一半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的一侧；以及

第二焊垫，位于该半导体叠层上以接触该第二接触层，与该第二半导体层形成电连接，并位于该基板的该中心线的另一侧，该第一焊垫与该第二焊垫相隔一距离，并于该半导体叠层上定义出一区域位于该第一焊垫与该第二焊垫之间，其中于该发光元件的上视图上，该多个孔部排列成多列，该多列包含第一列，第二列与第三列，位于该第一列上的孔部与位于该第二列上的孔部之间包含第一最短距离，位于该第二列上的该孔部与位于该第三列上的孔部之间包含第二最短距离，该第一最短距离小于该第二最短距离。