[发明专利]一种显示装置及其制备方法在审
申请号: | 202010788127.X | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN111965893A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 查国伟;李治福;袁剑峰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357;G02F1/1334;G02F1/1333;G02F1/1335;H01L33/46 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
第一基板,包括第一上表面和第一下表面;
框胶,设于所述第一上表面,并与所述第一上表面围合形成一容置空间;
光源,位于所述容置空间内,并设于所述第一上表面上;
液晶层,设于所述容置空间内;所述液晶层包括液晶,所述液晶为聚合物分散液晶或聚合物网络液晶;
第二基板,包括第二上表面和第二下表面,所述第二下表面与所述第一上表面相对设置,且所述第二下表面与所述框胶粘合。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述光源包括:P电极、P型半导体层、有源层、N型半导体层和N电极,所述P电极一端与所述第一基板连接,所述P电极另一端与所述P型半导体层连接,所述有源层设于所述P型半导体层上方,所述N型半导体层设于所述有源层上方,所述N电极一端与所述第一基板连接,所述N电极另一端与所述N型半导体层连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述N型半导体层为N型氮化镓层,所述P型半导体层为P型氮化镓层。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述光源的厚度为5μm-10μm,所述光源的厚度方向与所述液晶层的厚度方向一致;所述光源的长度为50μm-500μm,所述光源的长度方向与所述液晶层的厚度方向垂直。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述光源的出光角度为120°-180°。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一基板的光透过率小于所述第二基板的光透过率。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括第一反射层,所述第一反射层设于所述第一基板的第一上表面,所述光源设于所述第一反射层背离所述第一基板的一侧。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括第二反射层,所述第二反射层设于所述光源背离所述第一基板的一侧。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述第一反射层和所述第二反射层为金属反射层、分布式布拉格反射层和增强型镜面反射膜中的任意一种。
10.一种显示装置的制备方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,所述第一基板包括第一上表面和第一下表面;
在所述第一上表面制备光源;
在所述第一上表面上涂布框胶,所述框胶和所述第一上表面围合形成一容置空间,所述光源位于所述容置空间内;
向所述容置空间内灌入液晶,形成液晶层,其中,液晶为聚合物分散液晶或聚合物网络液晶;
提供第二基板,所述第二基板包括第二上表面和第二下表面,所述第二下表面与所述第一上表面相对设置;
将所述第二下表面与所述框胶粘合,以形成显示装置。
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