[发明专利]钙钛矿发光膜层及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 202010789032.X | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN112002816B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 吴永伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 汪阮磊 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 发光 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种钙钛矿发光膜层,其特征在于,具有图案化的规则发光结构;
所述钙钛矿发光膜层包括:
钙钛矿发光基层;以及
遮光层,设于所述钙钛矿发光基层上,所述遮光层具有图案化的遮光结构;在制备所述遮光结构时,在所述钙钛矿发光基层的上表面涂布一层遮光层溶液,所述遮光层溶液的材质包括嵌段共聚物以及溶剂,所述嵌段共聚物为聚苯乙烯-b-聚2-乙烯吡啶,所述嵌段共聚物在所述遮光层溶液中所占质量百分比为0.5%~20%;通过机械力剪切处理,将所述遮光层中的嵌段共聚物预图案化,对预图案化处理后的所述嵌段共聚物进行溶剂熏蒸处理,得到图案化后的遮光层;在所述遮光层的上表面制备出保护层后,采用显影的方式除去未被所述保护层覆盖的遮光层,形成所述图案化的遮光结构。
2.如权利要求1所述的钙钛矿发光膜层,其特征在于,
所述钙钛矿发光基层包括零维钙钛矿、一维钙钛矿、二维钙钛矿、三维钙钛矿中的任一种。
3.一种如权利要求1所述的钙钛矿发光膜层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板;以及
在所述基板的上表面形成图案化的规则发光结构;
其中,在所述基板的上表面形成图案化的规则发光结构包括以下步骤:
在所述基板的上表面制备出钙钛矿发光基层;
在所述钙钛矿发光基层的上表面制备出遮光层,所述遮光层包含嵌段共聚物;
图案化处理所述遮光层;
在所述遮光层的上表面制备出保护层;
制备出图案化后的遮光结构;以及
去除所述保护层,形成图案化的规则发光结构。
4.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1或2所述的钙钛矿发光膜层。
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