[发明专利]三元系多铁性陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010789037.2 申请日: 2020-08-07
公开(公告)号: CN111892394A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 关皓文;陈奕璇;蹇婕 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/638;C04B35/64;H01F1/03
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 冯子玲
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 三元 系多铁性 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种三元系多铁性陶瓷,其特征在于,所述三元系多铁性陶瓷的化学通式为:(0.57-x)Bi0.8La0.2FeO3-0.43PbTiO3-xGaFeO3,其中第三组元GaFeO3的含量x=0,0.04或0.06。

2.一种三元系多铁性陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

粉料合成:采用固相反应法在0.57Bi0.8La0.2FeO3-0.43PbTiO3陶瓷中引入GaFeO3组元,形成BLF-PT-GF三元系多铁性陶瓷粉体;

素坯成型:在合成粉体中加入PVA进行造粒,得到粉料颗粒;将所述粉料颗粒装入模具中,加压成型后进行排胶,获得BLF-PT-GF素胚;

陶瓷烧结:将所述BLF-PT-GF素坯放在坩埚中密封烧结,得到化学式为(0.57-x)Bi0.8La0.2FeO3-0.43PbTiO3-xGaFeO3多铁性陶瓷。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:在所述粉料合成步骤中,以分析纯的Bi2O3、Fe2O3、PbO、TiO2、La2O3和Ga2O3为原料进行一次研磨,获得粉料;

将所获得的粉料煅烧后二次研磨以合成所述陶瓷粉体。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:在所述粉料合成步骤的煅烧步骤包括如下子步骤:

升温至450℃,保温2h;

升温至750℃,保温4h;

随炉冷却至室温。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:在所述粉料合成步骤的煅烧步骤中,升温速度为5℃/min。

6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:所述素坯成型步骤的排胶步骤包括:

升温至450℃,保温3h;

升温至600℃,保温3h;

随炉冷却至室温。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:在所述素坯成型步骤的排胶步骤中,升温至450℃的时间为12h。

8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:在所述素坯成型步骤的排胶步骤中,升温至600℃的时间为5h。

9.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:在所述陶瓷烧结步骤中,密封烧结的升温速度为5℃/min,烧结温度为1080℃,保温时间为2h。

10.一种三元系多铁性陶瓷,其特征在于,所述多铁性陶瓷经由权利要求2至9中任意一项所述的方法制备而成。

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