[发明专利]一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法在审

专利信息
申请号: 202010789474.4 申请日: 2020-08-07
公开(公告)号: CN111970828A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 杨先卫;孙志鹏;黄生荣;胡玉春 申请(专利权)人: 惠州中京电子科技有限公司;珠海中京电子电路有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;G03F7/20;G03F7/30
代理公司: 深圳众鼎汇成知识产权代理有限公司 44566 代理人: 张宏杰
地址: 516000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 模块 wire bonding pad 完整性 蚀刻 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、首先将原有wire bonding pad的直角位置增加辅助图形P;

S2、然后对增加辅助图形P之后的wire bonding pad绘制菲林;

S3、对绘制菲林之后的图形进行贴抗蚀干膜操作;

S4、对贴抗蚀干膜之后的图形进行曝光操作;

S5、对进行曝光操作之后的图形进行显影操作;

S6、对进行显影操作之后的图形进行蚀刻操作;

S7、对进行蚀刻操作之后的图形进行退膜操作,即可得到完整的有wire bonding pad的图形。

2.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法,其特征在于,所述wire bonding pad尺寸宽度要求为s1,而s2=4mil。

3.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法,其特征在于,所述步骤S2中采用光绘机进行菲林绘制。

4.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法,其特征在于,所述步骤S3中的贴抗蚀干膜操作采用贴膜机进行操作。

5.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法,其特征在于,所述步骤S5中的显影操作、步骤S6中的蚀刻操作与步骤S7中的退膜操作均采用DES设备进行操作。

6.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法,其特征在于,所述步骤S4中采用汞灯进行曝光,持续380s。

7.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法,其特征在于,所述步骤S4中进行曝光之后需要静置30min以上在进行下一部操作。

8.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法,其特征在于,所述步骤S7中通过丙酮等或其他有机溶液进行退膜操作。

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