[发明专利]SSD掉电速度提高方法、装置、计算机设备及存储介质

说明书

本发明涉及SSD掉电速度提高方法、装置、计算机设备及存储介质，该方法包括在掉电时，保存日志信息；获取来自第一个核的发送VU命令；将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NAND Flash中，完成掉电操作。本发明通过由第三个核监管第一个核以及第二个核的方式进行掉电操作，降低三个核之间的交互动作，节省关机所需的时间，另外，对于第二个核以及第三个核设置异常处理机制，使用Nvme自定义命令，获取关机流程中异常日志，提高了SSD检错的效率，实现缩短了关机流程的时间，有效提高了SSD的掉电速度。

技术领域

本发明涉及固态硬盘，更具体地说是指SSD掉电速度提高方法、装置、计算机设备及存储介质。

背景技术

目前，SSD(Solid State Disk，固态硬盘)广泛运用于PC终端上，现有的SSD掉电流程不完善，以3核为例，传统的SSD主控设计采用第一个核来监控其他两个核的状态。第一个核与第二个核共用一块共享FIFO(先进先出，First Input First Output)，第二个核与第三个核共用一块共享FIFO。3核命令从第一个核流向第二个核，再流向第三个核，完成命令的状态从第三个核流向第二个核，再流向第一个核。第一个核统筹监管第二个核与第三个核，第二个核与第三个核需要向第一个核返还命令的完成状态，但是，在关机流程中，采用该方式会导致第一个核一直要等到其他两个核的动作全部完成才能通知主机进行掉电。在这段时间中，第二个核动作完成后会在共享FIFO中设置第三个核命令的完成状态，第二个核检测到后会将该状态通过FIFO传给第一个核，第一个核检测到状态完成，才会去置CSTS.SHST字段，主机检测到后认为主控完成关机流程，从而对SSD进行掉电。

在上述的掉电流程中，主控已完成保护措施等信息的保存，但是DRAM(动态随机存取存储器，Dynamic Random Access Memory)中还有部分数据未保存到NAND中，需要第一个核发送VU(自定义命令，vendor undefined)命令进行保存，第一个核需要等待第二个核与第三个核全部完成命令才能结束关机流程，时间较长，动作较多，拖慢了SSD的掉电速度，增加了SSD的掉电的时间，影响了整体关机时间，并且没有异常检错机制，当第二个核或第三个核发生错误时，没有办法进行异常定位。

因此，有必要设计一种新的方法，实现缩短了关机流程的时间，有效提高了SSD的掉电速度。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供SSD掉电速度提高方法、装置、计算机设备及存储介质。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：SSD掉电速度提高方法，包括：

在掉电时，保存日志信息；

获取来自第一个核的发送VU命令；

将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NAND Flash中，完成掉电操作。

其进一步技术方案为：所述获取来自第一个核的发送VU命令，包括：

通过共享FIFO轮询到VU命令。

其进一步技术方案为：所述VU命令对应的信息包括逻辑物理映射表以及已写入的数据。

其进一步技术方案为：所述将VU命令对应的信息发送至第三个核，以使得第三个核将VU命令对应的信息写入至NAND Flash中，完成掉电操作，包括：

将VU命令对应的信息发送至第三个核，由第三个核将VU命令对应的信息写入NANDFlash中，以得到写入完成状态；

由第三个核判断写入完成状态是否是数据写入错误；