[发明专利]发光二极管显示装置在审
申请号: | 202010789782.7 | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN112349247A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 朴常镐;金连洪;金振永;金珍泽;文秀贤;朴美珍;梁泰勋;李星珍;李镇禹;洪光泽 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G09G3/3208 | 分类号: | G09G3/3208;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;孔丽君 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示装置 | ||
1.一种发光二极管显示装置,所述发光二极管显示装置包括:
有机发光二极管,所述有机发光二极管包括阳极电极;
第一晶体管,所述第一晶体管用于向所述有机发光二极管的所述阳极电极提供电流;
第二晶体管,所述第二晶体管用于将电压传输至所述第一晶体管的栅电极;
第一电容器,所述第一电容器用于存储传输至所述第一晶体管的所述栅电极的所述电压;以及
第二电容器,所述第二电容器设置在所述第二晶体管的第一电极与数据线之间,
其中所述第二晶体管的所述第一电极直接连接至所述有机发光二极管的所述阳极电极。
2.如权利要求1所述的发光二极管显示装置,其中:
所述第二电容器包括连接至所述第二晶体管的所述第一电极的第一电极和连接至所述数据线的第二电极,并且
所述第二电容器的所述第一电极连接至所述有机发光二极管的所述阳极电极。
3.如权利要求1所述的发光二极管显示装置,其中:
所述第一电容器包括连接至所述第一晶体管的所述栅电极的第一电极和用于接收预定电压的第二电极。
4.如权利要求3所述的发光二极管显示装置,其中:
在所述第一电容器的所述第二电极处接收的所述预定电压是初始化电压。
5.如权利要求1所述的发光二极管显示装置,其中:
所述第一晶体管进一步包括用于接收驱动电压的第一电极和连接至所述有机发光二极管的所述阳极电极的第二电极。
6.如权利要求5所述的发光二极管显示装置,其中:
所述第一晶体管的所述第二电极连接至所述阳极电极、所述第二电容器的第一电极和所述第二晶体管的所述第一电极。
7.如权利要求6所述的发光二极管显示装置,其中:
所述有机发光二极管进一步包括用于接收驱动低电压的阴极电极,并且
所述驱动电压和所述驱动低电压在发射时段中分别具有高电压和低电压。
8.一种发光二极管显示装置,所述发光二极管显示装置包括:
基板;
多晶半导体层,所述多晶半导体层设置在所述基板上;
第一栅绝缘膜,所述第一栅绝缘膜覆盖所述多晶半导体层;
第一栅电极,所述第一栅电极设置在所述第一栅绝缘膜上并且与所述多晶半导体层的一部分重叠;
第一层间绝缘膜,所述第一层间绝缘膜覆盖所述第一栅电极;
氧化物半导体层,所述氧化物半导体层设置在所述第一层间绝缘膜上;
第二栅绝缘膜,所述第二栅绝缘膜覆盖所述氧化物半导体层的至少一部分;
第二栅电极,所述第二栅电极设置在所述第二栅绝缘膜上;
第三层间绝缘膜,所述第三层间绝缘膜覆盖所述第二栅电极;
第一电容器的电极,所述第一电容器的所述电极设置在所述第三层间绝缘膜上;
第四层间绝缘膜,所述第四层间绝缘膜覆盖所述第一电容器的所述电极;
第一晶体管的第一电极和第二电极,所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极设置在所述第四层间绝缘膜上,并且分别电连接至所述多晶半导体层的第一区域和第二区域;
第二晶体管的第一电极和第二电极,所述第二晶体管的所述第一电极和所述第二电极设置在所述第四层间绝缘膜上,并且分别电连接至所述氧化物半导体层的第一区域和第二区域;
钝化膜,所述钝化膜覆盖所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二电极以及所述第二晶体管的所述第一电极和所述第二电极,并且包括暴露所述第一晶体管的所述第二电极的第一开口;
阳极电极,所述阳极电极通过所述第一开口连接至所述第一晶体管的所述第二电极;以及
隔壁,所述隔壁包括第二开口,所述第二开口暴露所述阳极电极的一部分,
其中所述第一开口和所述第二开口在竖直方向上彼此重叠。
9.如权利要求8所述的发光二极管显示装置,其中:
所述第一开口设置在所述第二开口中。
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