[发明专利]一种控制电路及模式控制方法在审
申请号: | 202010790184.1 | 申请日: | 2020-08-07 |
公开(公告)号: | CN111880428A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 苏圣达;区均灌;经琦;黄男;黄伟庭;张晓瑞 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | G05B15/02 | 分类号: | G05B15/02 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 沈园园;王卫忠 |
地址: | 519070*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制电路 模式 控制 方法 | ||
1.一种控制电路,其特征在于,包括:继电器、处理单元以及光电耦合器,所述继电器的第一接入端接入模式控制信号,所述继电器的第一输出端与第一电源连接;
所述继电器的第二接入端接入光耦控制信号,所述继电器的第二输出端与所述处理单元的一端连接,所述处理单元的另一端通过所述继电器第三输出端连接所述光电耦合器;
其中,根据所述接入的模式控制信号确定所述第一接入端与所述第一输出端之间的电压差,根据所述电压差确定所述光耦控制信号的传输模式,所述继电器根据所述传输模式将所述光耦控制信号通过处理单元接入所述光电耦合器,由所述光电耦合器根据所述光耦控制信号在处理单元的导通结果确定输出信号的电平类型。
2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述控制电路还包括第一电阻,第一电容;
所述第一电阻的一端接入光耦控制信号,所述第一电阻的另一端同时连接第一电容的一端和继电器,所述第一电容的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的控制电路,其特征在于,第一接入端与所述第一输出端之间设有电磁铁。
4.根据权利要求3所述的控制电路,其特征在于,所述继电器还包括:第一双触点开关和第二双触点开关;
其中所述第一双触点开关用于连接所述第一电阻和所述处理单元,所述第二双触点开关用于连接所述处理单元和所述光电耦合器。
5.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,所述处理单元包括:第一处理子单元和第二处理子单元;
其中,所述第一处理子单元包括:PNP型三极管、第二电阻、第三电阻和第二电源,所述第二处理子单元包括:NPN型三极管、第四电阻和第三电源。
6.根据权利要求5所述的控制电路,其特征在于,当所述电磁铁两端的电压差为0时,所述第一电阻的另一端通过所述第一双触点开关同时连接所述PNP型三极管的基极以及所述第三电阻的一端,所述PNP型三极管的发射极与所述第三电阻的另一端同时所述第二电源连接;
当根据所述光耦控制信号确定所述PNP型三极管的发射极与所述PNP型三极管的基极之间的电压差为0时,所述PNP型三极管的集电极通过所述第二电阻接地,所述PNP型三极管的集电极还通过第一导线与所述第二双触点开关连接,并通过所述第二双触点开关与所述光电耦合器连接,通过所述光电耦合器输出第一电平类型的控制信号。
7.根据权利要求5所述的控制电路,其特征在于,当所述电磁铁两端的电压差为0时,所述第一电阻的另一端通过所述第一双触点开关同时连接所述PNP型三极管的基极以及所述第三电阻的一端,所述PNP型三极管的发射极与所述第三电阻的另一端同时连接所述第二电源;
当根据所述光耦控制信号确定所述PNP型三极管的发射极与所述PNP型三极管的基极之间的电压差不为0时,所述PNP型三极管的集电极通过所述发射极与所述第二电源连接,所述PNP型三极管的集电极还通过第一导线与所述第二双触点开关连接,并通过所述第二双触点开关与所述光电耦合器连接,通过所述光电耦合器输出第二电平类型的控制信号。
8.根据权利要求5所述的控制电路,其特征在于,当所述电磁铁两端的电压差不为0时,所述第一电阻的另一端通过所述第一双触点开关同时连接所述第四电阻的一端以及所述NPN型三极管的基极,所述第四电阻的另一端与所述NPN型三极管的发射极连接,所述NPN型三极管的集电极与所述第三电源连接;
当根据所述光耦控制信号确定所述NPN型三极管的发射极与所述NPN型三极管的基极之间的电压差为0时,所述NPN型三极管的发射极接地,所述NPN型三极管的发射极通过第二导线与所述第二双触点开关连接,并通过所述第二双触点开关与所述光电耦合器连接,通过所述光电耦合器输出第一电平类型的控制信号。
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