[发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法

权利要求书

1.一种制作混合型加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，包含有下列步骤:

提供一氮化镓铝/氮化镓磊晶结构，并将该氮化镓铝/氮化镓磊晶结构区分为一左侧区域与一右侧区域，该氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有:

一硅基底；

一氮化镓碳掺杂高阻值层，其位于该硅基底上；

一氮化镓铝缓冲层，其位于该氮化镓碳掺杂高阻值层上；

一氮化镓通道层，其形成于该氮化镓铝缓冲层上；以及

一氮化镓铝层，其形成于该氮化镓通道层上，其中该氮化镓铝层中的铝含量范围为X，而该X＝0.1～0.3；该氮化镓铝缓冲层中的铝含量范围为Y，而该Y＝0.05～0.75；

于该左侧区域形成一P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管，其步骤包含有

利用选择性区域成长方式于该氮化镓铝/氮化镓磊晶结构上形成一P型氮化镓倒置梯型栅极结构，以控制二维电子气位于该P型氮化镓倒置梯型栅极结构下方是耗尽状态；以及

于该右侧区域形成一耗尽型不具有栅极氧化层氮化镓铝/镓高速电子迁移率晶体管。

2.一种混合型加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管，其特征在于，包含有:

一氮化镓铝/氮化镓磊晶结构，其区分为一左侧区域与一右侧区域，该氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有:

一硅基底；

一氮化镓碳掺杂高阻值层，其位于该硅基底上；

一氮化镓铝缓冲层，其位于该氮化镓碳掺杂高阻值层上；

一氮化镓通道层，其形成于该氮化镓铝缓冲层上；以及

一氮化镓铝层，其形成于该氮化镓通道层上，其中该氮化镓铝层中的铝含量范围为X，而该X＝0.1～0.3；该氮化镓铝缓冲层中的铝含量范围为Y，而该Y＝0.05～0.75；

一P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管，其位于该左侧区域，该P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管包含有一P型氮化镓倒置梯型栅极结构，其中二维电子气位于该P型氮化镓倒置梯型栅极结构下方是呈现耗尽状态；以及

一耗尽型不具有栅极氧化层氮化镓铝/镓高速电子迁移率晶体管，其位于该右侧区域。

3.一种制作混合型加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，包含有下列步骤:

提供一氮化镓铝/氮化镓磊晶结构，其中该氮化镓铝/氮化镓磊晶结构区分为一左侧区域与一右侧区域，该氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有:

一硅基底；

一氮化镓碳掺杂高阻值层，其位于该硅基底上；

一氮化镓铝缓冲层，其位于该氮化镓碳掺杂高阻值层上；

一氮化镓通道层，其形成于该氮化镓铝缓冲层上；以及

一氮化镓铝层，其形成于该氮化镓通道层上，其中该氮化镓铝层中的铝含量范围为X，而该X＝0.1～0.3；该氮化镓铝缓冲层中的铝含量范围为Y，而该Y＝0.05～0.75；

于该左侧区域形成一P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管，其步骤包含有利用选择性区域成长方式于该氮化镓铝/氮化镓磊晶结构上形成一P型氮化镓倒置梯型栅极结构，以控制二维电子气位于该P型氮化镓倒置梯型栅极结构下方是耗尽状态；以及

于该右侧区域形成一耗尽型具有栅极氧化层氮化镓铝/镓高速电子迁移率晶体管。