[发明专利]一种负电平检测电路有效
申请号: | 202010793382.3 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN111934525B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 王卓;李相骏;秦尧;毛帅;张永瑜;明鑫;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M3/335;G01R19/165 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电平 检测 电路 | ||
1.一种负电平检测电路,其特征在于,包括电压采样模块和阈值检测模块,所述电压采样模块包括第一LDNMOS管、第一NMOS管和第一PMOS管,第一LDNMOS管的漏极作为所述负电平检测电路的输入端,其栅极连接第一PMOS管的栅极和源极并连接内部电源电压,其源极连接第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极并作为所述电压采样模块的输出端;第一NMOS管的栅极和源极接地;
所述阈值检测模块包括电压检测单元和参考电压产生单元,所述参考电压产生单元包括第一电阻,偏置电流通过电流镜镜像到第一电阻上在第一电阻两端产生阈值电压,第一电阻两端中电压值更大的一端电压作为第一阈值设置电压,另一端电压作为第二阈值设置电压;
所述电压检测单元包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第三NPN型三极管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二PMOS管和第二电阻,
第一NPN型三极管的基极连接所述第一阈值设置电压,其集电极连接第三NPN型三极管的基极和第二NMOS管的漏极并作为第一节点,其发射极连接第三NMOS管和第四NMOS管的源极并接地;
第二NPN型三极管的基极连接第三NPN型三极管的发射极和第四NMOS管的漏极以及所述第二阈值设置电压,其集电极连接第二NMOS管的源极和第二PMOS管的栅极并作为第二节点,其发射极连接所述电压采样模块的输出端;
所述偏置电流通过电流镜为所述电压检测单元的第一节点和第二节点提供相同偏置;
第三NPN型三极管的集电极通过第二电阻后连接所述内部电源电压;
第二PMOS管的漏极连接第三NMOS管的漏极并作为所述负电平检测电路的输出端,其源极连接所述内部电源电压;
第二NMOS管的栅极连接第三NMOS管和第四NMOS管的栅极并连接偏置电压,其衬底连接所述内部电源电压;
通过调节第一电阻的电阻值和电流镜镜像到第一电阻上的电流设置所述阈值电压,当地电位与所述电压采样模块输出端输出电压值的差值达到所述阈值电压时所述负电平检测电路产生有效的负电平检测信号。
2.根据权利要求1所述的负电平检测电路,其特征在于,所述阈值检测模块中的电流镜包括第三电阻、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管、第十八PMOS管、第十九PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管、第二十二PMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管,
第三电阻一端连接所述偏置电流以及第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管和第十二PMOS管的栅极,其另一端连接第三PMOS管的漏极以及第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管、第十八PMOS管、第十九PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管和第二十二PMOS管的栅极;
第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管和第十二PMOS管的衬底以及第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管、第十八PMOS管、第十九PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管和第二十二PMOS管的源极连接所述内部电源电压;
第三PMOS管的源极连接第十三PMOS管的漏极;
第四PMOS管的源极连接第十四PMOS管的漏极;
第五PMOS管的源极连接第十五PMOS管的漏极;
第六PMOS管的源极连接第十六PMOS管的漏极;
第七PMOS管的源极连接第十七PMOS管的漏极;
第八PMOS管的源极连接第十八PMOS管的漏极;
第九PMOS管的源极连接第十九PMOS管的漏极;
第十PMOS管的源极连接第二十PMOS管的漏极;
第十一PMOS管的源极连接第二十一PMOS管的漏极;
第十二PMOS管的源极连接第二十二PMOS管的漏极;
第六NMOS管的栅漏短接并连接第七NMOS管的栅极和第四PMOS管的漏极,其源极连接第五NMOS管和第七NMOS管的源极并接地;
第五PMOS管的漏极连接第一电阻的一端并输出所述第一阈值设置电压,第七NMOS管的漏极连接第一电阻的另一端并输出所述第二阈值设置电压;
第五NMOS管的栅极连接所述偏置电压,其漏极连接第六PMOS管的漏极;
第七PMOS管、第八PMOS管和第九PMOS管的漏极连接所述第一节点,第十PMOS管、第十一PMOS管和第十二PMOS管的漏极连接所述第二节点。
3.根据权利要求1或2所述的负电平检测电路,其特征在于,所述负电平检测电路用于检测开关电源中同步整流管的漏源电压是否达到开启阈值;所述开关电源中同步整流管的源极接地,其漏极连接所述负电平检测电路的输入端,所述开启阈值为-86mV;通过调节第一电阻的电阻值和电流镜镜像到第一电阻上的电流设置所述阈值电压为86mV;所述电压检测单元是三极管发射极输入的比较器,第一NPN型三极管和第二NPN型三极管的发射极是比较器的两个输入端分别连接地电位和所述电压采样模块的输出端,当所述电压采样模块输出端输出电压值低于所述开启阈值-86mV时所述负电平检测信号翻高控制所述同步整流管栅极充电。
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