[发明专利]垂直型非易失性存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直型非易失性存储器装置，所述垂直型非易失性存储器装置包括：

基底，包括单元阵列区和延伸区，延伸区从单元阵列区沿第一方向延伸并且包括竖直接触件；

竖直沟道结构，从基底的顶表面沿竖直方向延伸；

第一堆叠结构，包括沿着竖直沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；

多个划分区，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向将单元阵列区和延伸区划分为多个单元；

两个绝缘层坝，在延伸区中，布置在所述多个划分区中的沿第二方向彼此相邻的两个划分区之间，其中，所述两个绝缘层坝沿第一方向延伸；

第二堆叠结构，包括在所述两个绝缘层坝之间交替地堆叠在基底上的牺牲层和层间绝缘层；以及

电极垫，连接到延伸区中的栅电极层中的第一栅电极层。

2.根据权利要求1所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，第一堆叠结构从单元阵列区延伸到所述划分区中的一个划分区与延伸区中的所述绝缘层坝中的一个绝缘层坝之间的区域，

电极垫包括位于第一堆叠结构上的第一垫区域和位于第二堆叠结构上的第二垫区域，并且

竖直接触件中的一个穿透第二垫区域并且插入到第二堆叠结构中。

3.根据权利要求2所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，沿竖直方向，第一垫区域比单元阵列区中的栅电极层厚。

4.根据权利要求2所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，第一垫区域和第二垫区域在所述一个绝缘层坝的顶表面上彼此连接，并且

第一垫区域连接到对应的栅电极层。

5.根据权利要求1所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，电极垫被在所述两个绝缘层坝之间的沿第一方向延伸的垫间隙划分为第一电极垫和第二电极垫，并且

竖直接触件连接到第一电极垫和第二电极垫中的每个。

6.根据权利要求5所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，第一电极垫和第二电极垫中的每个的沿第一方向的端部沿竖直方向具有彼此不同的高度。

7.根据权利要求5所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，栅电极层在延伸区中沿第一方向具有台阶结构，

与第一电极垫对应的栅电极层每两层具有台阶结构，而单个奇数编号的栅电极层构成上层，

与第二电极垫对应的栅电极层每两层具有台阶结构，而单个偶数编号的栅电极层构成上层，

第一电极垫连接到奇数编号的栅电极层，并且

第二电极垫连接到偶数编号的栅电极层。

8.根据权利要求1所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，在单元阵列区中，沿第一方向延伸的另一划分区布置在沿第二方向彼此相邻的所述两个划分区之间。

9.根据权利要求1所述的垂直型非易失性存储器装置，其中，竖直沟道结构具有位于单元阵列区中的第一竖直沟道结构和位于延伸区中的第二竖直沟道结构，并且

第二竖直沟道结构布置在延伸区中的其中形成有第一堆叠结构的部分中。

10.一种垂直型非易失性存储器装置，所述垂直型非易失性存储器装置包括：

基底，包括单元阵列区和从单元阵列区沿第一方向延伸的延伸区；

竖直沟道结构，从基底的顶表面沿竖直方向延伸；

第一堆叠结构，包括沿着竖直沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；

划分区，沿第一方向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向将单元阵列区和延伸区划分为多个单元；

两个绝缘层坝，在延伸区中，布置在沿第二方向彼此相邻的两个划分区之间，其中，所述两个绝缘层坝沿第一方向延伸；

第二堆叠结构，包括在所述两个绝缘层坝之间交替地堆叠在基底上的牺牲层和层间绝缘层；

电极垫，连接到栅电极层中的第一栅电极层并且布置在延伸区中，电极垫包括位于第一堆叠结构上的第一垫区域和位于第二堆叠结构上的第二垫区域；以及

竖直接触件，布置在延伸区中并且经由电极垫的第二垫区域插入到第二堆叠结构中。