[发明专利]双支路模拟预失真系统

权利要求书

1.双支路模拟预失真系统，其特征在于，包括介质基板、第一耦合器、第一非线性发生器、第二非线性发生器和第二耦合器；其中所述的第一耦合器、所述的第一非线性发生器、所述的第二非线性发生器和所述的第二耦合器设置在介质基板的上表面；所述的第一非线性发生器和所述的第二非线性发生器并联，所述的第一非线性发生器包括场效应晶体管，所述的第二非线性发生器包括肖特基二极管；所述的第一耦合器将输入的射频信号分为第一射频输出信号和第二射频输出信号后分别输出给第一非线性发生器和第二非线性发生器；所述的第一非线性发生器利用场效应晶体管本身产生的非线性对第一射频输出信号进行预失真得到第一失真信号；所述的第二非线性发生器利用肖特基二极管本身产生的非线性对第二射频输出信号进行预失真后得到第二失真信号；所述的第一失真信号和第二失真信号分别通过第二耦合器的第一输入端和第二输入端输入到第二耦合器进行合路处理，得到模拟预失真输出信号。

2.根据权利要求1所述的双支路模拟预失真系统，其特征在于，所述的第一非线性发生器还包括第一偏置电路、第二偏置电路、第一直流电源、第二直流电源、第一耦合微带电路、第二耦合微带电路、第一匹配微带线和第二匹配微带线；所述的第一耦合微带电路的一端输入所述的第一射频输出信号，所述的第一耦合微带电路的另一端和所述的第一偏置电路的射频输入端连接；所述的第一偏置电路的射频输出端通过所述的第一匹配微带线连接所述场效应晶体管的栅极；所述的第一偏置电路的直流输入端和所述的第一直流电源的正极连接；所述的第一直流电源的负极接地；所述的场效应晶体管的源极接地，所述的场效应晶体管的漏极通过所述的第二匹配微带线连接第二偏置电路的射频输入端；所述的第二偏置电路的射频输出端和所述的第二耦合微带电路的一端连接，所述的第二偏置电路的直流输入端和所述的第二直流电源的正极连接；所述的第二直流电源的负极接地；所述的第二耦合微带电路的另一端作为第一非线性发生器的输出端连接到所述的第二耦合器的第一输入端。

3.根据权利要求1所述的双支路模拟预失真系统，其特征在于，所述的第二非线性发生器还包括第三偏置电路、第三直流电源、第三耦合微带电路、第四耦合微带电路、第三匹配微带线和第四匹配微带线；所述的第三耦合微带电路的一端输入所述的第二射频输出信号，所述的第三耦合微带电路的另一端通过第三匹配微带线连接肖特基二极管正极和第三偏置电路的射频输入端；所述的肖特基二极管的负极接地；所述的第三偏置电路的射频输出端通过第四匹配微带线连接第四耦合微带电路的一端；所述的第三偏置电路的直流输入端和所述的第三直流电源的正极连接；所述的第三直流电源的负极接地；所述的第四耦合微带电路的另一端作为第二非线性发生器的输出端连接到第二耦合器的第二输入端。

4.根据权利要求2所述的双支路模拟预失真系统，其特征在于，所述的第一偏置电路和第二偏置电路为相同的偏置电路，所述的偏置电路包括第一T型结、第一矩形微带线、第二矩形微带线、第三矩形微带线、第四矩形微带线、第一扇环形微带线和第二扇环形微带线；所述的第一T型结的第一端口为所述的偏置电路的射频输入端，所述的第一T型结的第二端口为所述的偏置电路的射频输出端；所述的第三矩形微带线的一端作为所述的偏置电路的直流输入端，直流电压依次经过所述的第三矩形微带线、所述的第二矩形微带线、所述的第一矩形微带线后输入到所述的第一T型结的第三端口；所述的第一扇环形微带线和所述的第二扇环形微带线对称地连接在所述的第四矩形微带线的两侧。

5.根据权利要求4所述的双支路模拟预失真系统，其特征在于，所述的第一矩形微带线为四分之一波长微带线；所述的第一扇环形微带线和所述的第二扇环形微带线均为四分之一扇环形开路微带线。