[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010794352.4 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112349682A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 侯上勇;胡宪斌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/31;H01L21/56;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一半导体器件，接合至第一中介层；
第二半导体器件，接合至与所述第一中介层不同的第二中介层；以及
桥接组件，通过所述第一中介层和所述第二中介层电连接所述第一半导体器件和所述第二半导体器件。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述桥接组件接合至所述第一中介层和所述第二中介层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
第一密封剂，密封所述第一中介层和所述第二中介层；以及
第二密封剂，密封所述桥接组件，所述第二密封剂不同于所述第一密封剂。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括从所述第二密封剂的第一侧延伸到所述第二密封剂的与所述第一侧相对的第二侧的通孔。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括将所述第一半导体器件和所述第二半导体器件电连接至外部接触件的再分布层，所述桥接组件位于所述再分布层内。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第三半导体器件，接合至所述第一中介层；以及
密封剂，密封所述第一半导体器件和所述第三半导体器件。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括电连接至所述第一中介层和所述第二中介层的衬底，其中，所述桥接组件位于所述衬底内。
8.一种半导体器件，包括：
桥接组件；
第一中介层，电连接至所述桥接组件；
第二中介层，电连接至所述桥接组件；
第一半导体器件，接合至所述第一中介层并且由第一密封剂围绕；
第二半导体器件，接合至所述第二中介层并且由第二密封剂围绕；以及
衬底，电连接至所述第一中介层和所述第二中介层。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括位于所述第一中介层和所述第二中介层之间的第三密封剂，其中，所述衬底位于所述桥接组件的与所述第一中介层相反的一侧上。
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
将第一半导体器件接合至第一中介层；
用第一密封剂密封所述第一半导体器件；
将第二半导体器件接合至不同于所述第一中介层的第二中介层；
用第二密封剂密封所述第二半导体器件；
利用桥接组件将所述第一中介层连接至所述第二中介层；以及
将衬底电连接至所述第一中介层和所述第二中介层。
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