[发明专利]一种基于双层基片集成的漏波天线有效
申请号: | 202010794476.2 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN111952729B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 何赛灵;骆鹏;何旺;刘辉 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01Q13/22 | 分类号: | H01Q13/22;H01Q21/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林松海 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 双层 集成 天线 | ||
1.一种基于双层基片集成的漏波天线,其特征在于,包括上下两层基片,所述的基片皆为两层覆铜层中间夹有介质层的结构,上层基片包括上层表层覆铜层、上层介质层、上层底层覆铜层;设有多排平行金属过孔贯穿上层基片,形成多排上表面为矩形的波导腔体,即上层基片集成波导;
下层基片包括下层表层覆铜层、下层介质层、下层底层覆铜层;设有多排平行金属过孔贯穿下层基片,形成多排上表面为平行四边形的波导腔体,即下层基片集成波导;
上层底层覆铜层及下层表层覆铜层相应位置分别设有耦合槽,将上下两层基片耦合;
上层表层覆铜设有多排辐射槽;
所述的下层基片集成波导和上层基片集成波导的中心线相交组成的锐角等于两倍的上层集成波导的宽度除以上层集成波导的长度的反正切函数。
2.根据权利要求1所述的漏波天线,其特征在于:所述的辐射槽的长度为漏波天线中心频率的半个波长,沿上层基片集成波导的中心线等间距均匀分布。
3.根据权利要求1所述的漏波天线,其特征在于:所述的介质层为PTFE材质。
4.根据权利要求1所述的漏波天线,其特征在于:所述的耦合槽的高为漏波天线中心频率的半个波长,距离基片底边为四分之一个波长。
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