[发明专利]轴向二极管的加工方法在审
申请号: | 202010795288.1 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN111933535A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 王志敏;黄丽凤;张英宏;汤嘉立 | 申请(专利权)人: | 如皋市大昌电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L29/861 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 崔立青;王玉梅 |
地址: | 226578 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 轴向 二极管 加工 方法 | ||
1.轴向二极管的加工方法,其特征在于,该轴向二极管的加工方法包括以下步骤:
步骤一、组架,首先将导线安装规格排入石墨模上,再将底层焊片吸入导线底舟上,放入吸晶粒,把加有助焊剂的膏状焊料挤住在吸晶粒上,而后将上层焊片吸入导线底舟上,把加有助焊剂的膏状焊料挤住在底层焊片和上层焊片上,合上石墨盒的上盖,得到组装好的组件;
步骤二、烧结,将得到组装好的组件放入烧结炉内进行烧结,烧结温度为1000-1200℃,烧结时间为80-100min,烧结完成后,对烧结炉进行降温,首先在30-35min内将温度降至700-800℃,再在20-25min内将温度降至400-500℃,然后再在30-40min将温度降至100-180℃,最后逐渐降至常温,取出备用,得到烧结好的组件;
步骤三、酸洗,将得到烧结好的组件进行酸洗,首先将其放入酸洗机中加入水和氢氟酸进行酸洗,时长为3-5min,而后用清水进行冲洗1次,而后将其放入烟笋与硫酸混合液中进行清洗,清洗时长为2-3min,而后用纯净水进行高压冲洗一次,最后采用磷酸、过氧化氢、水和乙酸进行超声波清洗,清洗时长为30-60s,而后取出进行脱水处理,得到清洗后的组件;
步骤四、上胶固化,将得到的清洗后的组件转移到上胶机上,打开高压氮,控制氮气压力,在管芯部位上第一遍白胶,涂敷的胶层呈算盘珠状,胶层厚度0.1-0.35mm,上胶结束后进入胶固化烘箱,烘烤80-100min,烘烤温度为118-125℃,烘烤结束后将其取出,放置上胶间冷却20-30min,对材料管芯部位进行第二次上胶,胶层厚度为0.1-0.35mm,上胶结束后进入胶固化烘箱烘烤,烘烤第一阶段温度为110-120℃,时间为80-90min,第二阶段温度为210-225℃,时间为280-360分钟,得到上胶固化的二极管;
步骤五、电镀与引直,将上胶固化的二极管中的管子的引线通过电镀使表面形成一层薄膜的锡层,再将管子引线平直,得到轴向二极管;
步骤六,检测,将得到的轴向二极管装载到自动测试机上,全数进行电性测试,通过测试的成品进行激光印字,合格品装载入载带中并热封表面覆带,即可完成轴向二极管的加工工艺,得到质量好的轴向二极管。
2.根据权利要求2所述的轴向二极管的加工方法,其特征在于:步骤三中超声波清洗时温度设置在70-80℃最佳。
3.根据权利要求2所述的轴向二极管的加工方法,其特征在于:步骤三中超声波酸洗时采用磷酸、过氧化氢、水和乙酸的体积比为1:0.5:3:0.2。
4.根据权利要求2所述的轴向二极管的加工方法的制备工艺,其特征在于:步骤四中上胶时氮气的压力,1安培的产品为0.16±0.05kg,1.5安培的产品为0.25±0.05kg。
5.根据权利要求1所述的轴向二极管的加工方法的制备工艺,其特征在于:步骤五中引直时为通过人工或机器引直。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于如皋市大昌电子有限公司,未经如皋市大昌电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010795288.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便于板料制作级进模
- 下一篇:一种智能垃圾回收系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造