[发明专利]一种耐静电放电和低包封变化率的厚膜电阻浆料有效
| 申请号： | 202010795432.1 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111916248B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 兰金鹏;陆冬梅;鹿宁;王要东;周宝荣;王妮;赵科良;马倩 | 申请（专利权）人： | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/16 | 分类号： | H01B1/16;H01B1/18;H01B1/22;H01B1/24;H01C7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 韦东 |
| 地址： | 710065 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 低包封 变化 电阻 浆料 | ||
1.一种厚膜电阻浆料，其特征在于，所述厚膜电阻浆料包括导电相、玻璃粉、石墨炔、添加剂和有机载体，所述石墨炔的粒径小于1μm，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，石墨炔的含量为0.1-1wt％。
2.如权利要求1所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，石墨炔的含量为0.2-0.5wt％。
3.如权利要求1所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述玻璃粉的原料包括：PbO、SiO2、CaO和Al2O，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，PbO的含量为30-55wt％，SiO2的含量为20-40wt％，CaO的含量为10-25wt％，Al2O3的含量为2-10wt％。
4.如权利要求3所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述玻璃粉的原料还包括石墨炔、B2O3、Na2O和/或K2O、和ZnO，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，石墨炔的含量为0.4-5wt％，B2O3的含量为5-10wt％，Na2O和K2O的总含量为0.2-1wt％，ZnO的含量为1-5wt％。
5.一种厚膜电阻浆料，其特征在于，所述厚膜电阻浆料包括导电相、玻璃粉、添加剂和有机载体，所述玻璃粉的原料包括：PbO、SiO2、CaO、Al2O3和石墨炔，所述石墨炔的粒径小于1μm，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，石墨炔的含量为0.4-5wt％，PbO的含量为30-55wt％，SiO2的含量为20-40wt％，CaO的含量为10-25wt％，Al2O3的含量为2-10wt％。
6.如权利要求5所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，所述玻璃粉的原料还包括B2O3、Na2O和/或K2O、和ZnO，以所述玻璃粉原料总质量计，所述玻璃粉原料中，B2O3的含量为5-10wt％，Na2O和K2O的总含量为0.2-1wt％，ZnO的含量为1-5wt％。
7.如权利要求1或5所述的厚膜电阻浆料，其特征在于，以所述厚膜电阻浆料总质量计，所述厚膜电阻浆料中，导电相的含量为15-20wt％，玻璃粉的含量为45-55wt％，添加剂的含量为0.5-10wt％，有机载体的含量为25-35wt％。
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