[发明专利]一种半导体晶圆片抛光设备及抛光方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆片抛光设备，其特征在于，包括：

用于放置若干晶圆片的放置机构；

用于抛光所述晶圆片双面并相互独立转动的上抛机构和下抛机构；

以及用于测量所述上抛机构下端面不同位置至其与所述下抛机构上端面相应位置之间距离的测量机构；

其中，所述放置机构内置于所述下抛机构上端面，并被所述下抛机构带动旋转；

所述上抛机构和所述下抛机构可调整相互之间的距离，以调整所述上抛机构下端面形变量和所述下抛机构上端面形变量。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆片抛光设备，其特征在于，所述放置机构包括设有内齿轮的外圈盘和若干设有外齿轮的内圈盘；

所述内圈盘置于所述外圈盘内侧并与所述外圈盘啮合；

所述内圈盘相互啮合设置；

优选地，所述内圈盘均与设置在所述下抛机构上端面中心的轴心轮啮合。

3.根据权利要求1或2所述的一种半导体晶圆片抛光设备，其特征在于，所述上抛机构包括上抛盘以及置于所述上抛盘正上方的上压盘和上液压系统，其中，

所述上液压系统加压或泄压以控制所述上压盘带动所述上抛盘向远离所述下抛机构一侧形变或靠近所述下抛机构一侧形变，以调整所述上抛盘距离所述下抛机构上端面的距离。

4.根据权利要求3所述的一种半导体晶圆片抛光设备，其特征在于，所述下抛机构包括下抛盘以及置于所述下抛盘正下方的下压盘和下液压系统，其中，

所述下液压系统加压或泄压以控制所述下压盘带动所述下抛盘向远离所述上抛盘一侧形变或靠近所述上抛盘一侧形变，以调整所述下抛盘距离所述上抛机构下端面的距离。

5.根据权利要求4所述的一种半导体晶圆片抛光设备，其特征在于，所述测量机构包括：

用于测量所述上抛盘内径圆一侧至所述下抛盘距离的一号测量件；

用于测量所述上抛盘内径圆与其外径圆之间的中部位置至所述下抛盘距离的二号测量件；

以及用于测量所述上抛盘外径圆一侧至所述下抛盘距离的三号测量；

所述一号测量件、所述二号测量件和所述三号测量件均同侧设置。

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶圆片抛光设备，其特征在于，所述一号测量件被设置于所述上抛盘靠近内径一侧；

所述三号测量件被设置于所述上抛盘靠近外径一侧；

所述二号测量件被设置于所述一号测量件和所述三号测量件之间且靠近所述三号测量件一侧。

7.一种半导体晶圆片抛光方法，其特征在于，采用如权利要求1-6任一项所述的抛光设备，步骤包括：

采集所述上抛机构下端面至所述下抛机构上端面之间的内侧距离、中部距离和外侧距离；

根据设定公式对所述内侧距离、所述中部距离和所述外侧距离进行处理并得到所述上抛机构下端面形变量和所述下抛机构上端面形变量；

通过控制所述上抛机构和所述下抛机构受压或回缩，以调整所述上抛机构下端面形变量和所述下抛机构上端面形变量在标准范围内。

8.根据权利要求7所述的一种半导体晶圆片抛光方法，其特征在于，所述上抛机构下端面形变量为所述内侧距离与所述外侧距离之差。

9.根据权利要求7或8所述的一种半导体晶圆片抛光方法，其特征在于，所述下抛机构上端面形变量为所述中部距离与内外修正距离之差；

所述内外修正距离为所述外侧距离和第一修正系数之积与所述内侧距离与第二修正系数之积的和。

10.根据权利要求9所述的一种半导体晶圆片抛光方法，其特征在于，所述第一修正系数与所述第二修正系数之和为1；

优选地，所述第一修正系数为0.60-0.90。