[发明专利]一种复相荧光陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010795668.5 申请日: 2020-08-10
公开(公告)号: CN112047735B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 李建强;冯少尉 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/18;C04B35/64;C04B35/645;C09K11/80;C09K5/14
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 李彪;张红生
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 荧光 陶瓷材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种复相荧光陶瓷材料,其特征在于,所述复相荧光陶瓷材料的化学组成为xY2O3-yLu2O3-zAl2O3-mSiO2-nMgO-pRe2O3,其中x、y、z、m、n、p为摩尔百分比,0≤x≤20%,0≤y≤20%,10%≤x+y≤40%,10%≤z≤40%,10%≤m≤40%,10%≤n≤40%,0.01%≤p≤10%,且2x+2y+2z+m+n+2p=100%;其发射光谱调节范围为510~680nm;

所述复相荧光陶瓷材料的结构包括主相和辅相,主相为Lu3(Mg,Al,Si)5O12和(Y,Lu)3(Mg,Al,Si)5O12中的一种,辅相为Al2O3、MgO、Lu2SiO5、Lu2Si2O7和MgAl2O4中的两种或两种以上,主相和辅相晶粒相互嵌套分布,主相作为发光基质相,辅相作为光散射组分相。

2.根据权利要求1所述的复相荧光陶瓷材料,其特征在于,所述复相荧光陶瓷的发光基质相为立方结构,属于石榴石相。

3.根据权利要求1所述的复相荧光陶瓷材料,其特征在于,所述复相荧光陶瓷的光散射组分相的晶粒尺寸分布在100nm-5000nm。

4.一种权利要求1-3任一项所述复相荧光陶瓷材料的制备方法,所述制备方法包括:

按xY2O3-yLu2O3-zAl2O3-mSiO2-nMgO-pRe2O3的化学组成称量相应的原料,经过合成方法制得均匀的前驱粉体;前驱粉体经干燥、研磨、过筛、煅烧、成型、高温烧结和退火处理制得复相荧光陶瓷材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述合成方法为酒精球磨混合、化学共沉淀混合、溶胶凝胶法和砂磨机研磨混合中的一种或多种。

6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述干燥方法为微波干燥、喷雾干燥法、冷冻干燥和烘箱加热干燥中的一种或多种。

7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述成型的方法为干压成型、注射成型、流延成型、冷等静压成型和热压成型中的一种或多种。

8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述高温烧结分成两个阶段:无压预烧结和高温高压烧结,无压预烧结:烧结温度为1500-1800℃;高温高压烧结:烧结温度为1500-1850℃,压力为1MPa-300MPa。

9.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述退火处理为在一定气氛条件下退火处理,所述气氛条件为氧气、氮氢混合气、CO气体和氩气中的一种或多种气氛,退火处理的温度是900-1400℃,保温时间2-50h。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院过程工程研究所,未经中国科学院过程工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010795668.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top