[发明专利]一种样品制备方法及装置

说明书

本发明提供一种样品制备方法及装置，对3D‑NAND存储器截面上的待检测层做出标记，待检测层位于3D‑NAND存储器衬底上，截面为垂直于衬底方向的表面；沿着截面的垂直方向且平行于衬底的方向提取样品，样品包括待检测层；根据标记对样品进行减薄，以获得样品中的待检测层。这样，在3D‑NAND存储器垂直于衬底方向的表面上对待检测层做出标记，而后沿着截面的垂直方向且平行于衬底的方向上提取样品，在提取样品的过程中仅需提取待检测层及待检测层周围的少量叠层。相比于从3D‑NAND存储器的表面提取样品，从截面获取样品，具有很小的体积和质量。而且提取的样品在进行减薄处理时，仅需去除待检测层周围的部分其他叠层，减少机台资源的浪费。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种样品制备方法及装置。

背景技术

3D NAND存储器的存储和读取功能与堆叠层中沟道孔的形貌紧密相关，因此，常通过检测沟道孔来验证3D NAND存储器的存储和读取功能。

现有检测沟道孔形貌的方法是，从3D NAND存储器的堆叠层表面提取样品，该样品包括待检测层，而后通过TEM(Transmission Electron Microscope，透射电子显微镜)扫描待检测层，从而获取待检测层中沟道孔的形貌，例如沟道孔的尺寸，沟道孔中存储功能层的厚度等。

但是，随着堆叠层数的增多，在检测堆叠层底部的沟道孔的形貌时，需要从堆叠层表面提取深层样品，例如192层、256层，因此向下挖取的深度很大，不仅耗时较长，而且提取的样品体积和重量均很大，导致样品提取很困难。此外，由于提取的样品的体积很大，在对待检测层进行检测时，需要去除待检测层之外的大量堆叠层，浪费机台资源。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种样品制备方法及装置，减小提取的样品的质量和体积。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种样品制备方法，包括：

对3D-NAND存储器截面上的待检测层做出标记，所述待检测层位于所述3D-NAND存储器的衬底上，所述截面为垂直于所述衬底方向的表面；

沿所述截面的垂直方向且平行于所述衬底的方向提取样品，所述样品包括待检测层；

根据所述标记对所述样品进行减薄，以获得所述样品中的待检测层。

可选的，所述样品包括所述衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

所述根据所述标记对所述样品进行减薄包括：

仅保留所述第二区域上方的所述待检测层以及所述第一区域。

可选的，还包括：

在所述样品的一侧粘附附加衬底；

则，所述根据所述标记对所述样品进行减薄时，还包括：对粘附的所述附加衬底进行减薄。

可选的，所述在所述样品的一侧粘附附加衬底包括：

在所述样品靠近所述3D-NAND存储器的衬底的一侧粘附所述衬底。

可选的，还包括：

对所述样品中的待检测层进行检测，获得所述样品中的待检测层中沟道孔的形貌。

可选的，所述对3D-NAND存储器截面上的待检测层做出标记包括：

对所述3D-NAND存储器截面上的待检测层的表面涂覆保护层。

可选的，所述3D-NAND存储器的堆叠层包括氧化硅层和氮化硅层，所述待检测层为所述氧化硅层或所述氮化硅层；

所述对3D-NAND存储器截面的待检测层做出标记之前，还包括：