[发明专利]窄分布三元正极材料前驱体的制备方法

权利要求书

1.一种连续生产窄分布三元正极材料前驱体的方法，其特征在于，共沉淀合成前驱体的过程中，控制反应浆料的颗粒粒度，分离反应浆料中的大小颗粒物料，分离得到的大颗粒物料用于制备窄分布前驱体，分离得到的小颗粒物料用于合成窄分布核壳结构前驱体。

2.如权利要求1所述的一种连续生产窄分布三元正极材料前驱体的方法，包括以下步骤：

（1）配制不同比例的可溶性镍、钴、锰盐或可溶性铝盐的混合溶液A和混合溶液B、氢氧化钠溶液、氨水溶液；

（2）向反应釜Ⅰ中加入步骤（1）所述的氨水溶液以及氢氧化钠溶液，搅拌，调节氨浓度、pH值和温度；

（3）在反应釜Ⅰ中继续加入步骤（1）中的混合溶液A、氨水溶液以及氢氧化钠溶液，在搅拌状态下调节氨浓度以及pH值；

（4）在反应釜Ⅰ的共沉淀反应过程中，控制反应浆料的颗粒粒度，分离反应釜中反应浆料的大小颗粒物料，将小于一定粒度的小颗粒物料排出，部分小颗粒物料回流，待浆料固含量达到要求后，即得到窄分布三元前驱体；

（5）将步骤（4）中分离得到的小颗粒物料导入反应釜Ⅱ中，同时向反应釜Ⅱ中通入步骤（1）所述的混合溶液B、氨水溶液以及氢氧化钠溶液，在搅拌状态下调节氨浓度以及pH值，共沉淀反应过程中，控制反应釜Ⅱ中反应浆料的颗粒粒度，将小于一定粒度的小颗粒物料排出，待浆料固含量达到要求后，制备得到窄分布核壳结构三元前驱体。

3.如权利要求2所述的一种连续生产窄分布三元正极材料前驱体的方法，其特征在于，还包括将任一步骤得到的小颗粒物料重复所述步骤（5）的过程，并根据实际情况调节混合溶液B中金属离子的摩尔比例，制备得到多种不同的窄分布核壳结构三元前驱体。

4.如权利要求2所述的一种连续生产窄分布三元正极材料前驱体的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述混合溶液A和混合溶液B的总金属离子浓度为1-5mol/L，所述混合溶液A中镍与总金属离子的摩尔比为0.7-0.9，混合溶液B中镍与总金属离子的摩尔比为0.5-0.7；氢氧化钠浓度为10-25mol/L，氨的质量分数为28-30%。

5.如权利要求2所述的一种连续生产窄分布三元正极材料前驱体的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述镍钴锰盐为硫酸盐、碳酸盐、硝酸盐中的一种或多种，铝盐为硝酸铝、碳酸铝、硫酸铝和偏铝酸钠溶液中的一种或多种。

6.如权利要求2所述的一种连续生产窄分布三元正极材料前驱体的方法，其特征在于，步骤（2）和步骤（3）中，所述氨浓度为5-12g/L，pH为11-12，所述温度为40-80℃。

7.如权利要求2所述的一种连续生产窄分布三元正极材料前驱体的方法，其特征在于，步骤（4）中，控制所述反应浆料的颗粒的中位粒度为3-13um。

8.如权利要求2所述的一种连续生产窄分布三元正极材料前驱体的方法，其特征在于，步骤（5）中，氨浓度为5-8g/L，pH为11-12，搅拌速率为200-800rpm，温度为40-80℃，控制所述反应浆料的中位粒度控制为5-15um。