[发明专利]发光显示器件及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010797014.6 | 申请日: | 2020-08-10 |
公开(公告)号: | CN111785858A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 张东旭;高荣荣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种发光显示器件,其特征在于,包括阴极、阳极以及位于所述阴极和所述阳极之间的发光层,所述发光层至少包括化合物A、化合物B以及化合物C,所述化合物A与所述化合物B复合形成激基复合物,所述化合物C作为主体化合物,所述激基复合物分散在所述化合物C中。
2.根据权利要求1所述的发光显示器件,其特征在于,所述化合物A、所述化合物B与所述化合物C的掺杂比例为:A:B:C=X:X:(1-2X),其中0.15X0.3。
3.根据权利要求1所述的发光显示器件,其特征在于,所述化合物A、所述化合物B与所述化合物C的LUMO能级满足如下关系:LUMOBLUMOCLUMOA。
4.根据权利要求1所述的发光显示器件,其特征在于,还包括位于所述阳极与所述发光层之间的空穴传输层,所述空穴传输层至少包括化合物A。
5.根据权利要求1所述的发光显示器件,其特征在于,还包括位于所述阴极与所述发光层之间的电子传输层,所述电子传输层至少包括化合物B。
6.根据权利要求1所述的发光显示器件,其特征在于,所述化合物A选自基于咔唑的环、基于二苯并呋喃的环、基于二苯并噻吩的环、基于茚并咔唑的环、基于吲哚并咔唑的环、基于苯并呋喃并咔唑的环、基于苯并噻吩并咔唑的环、基于吖啶的环、基于二氢吖啶的环和基于三吲哚并苯的环中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的发光显示器件,其特征在于,所述化合物B选自基于咔唑的环、基于二苯并呋喃的环、基于二苯并噻吩的环、基于茚并咔唑的环、基于吲哚并咔唑的环、基于苯并呋喃并咔唑的环、基于苯并噻吩并咔唑的环、基于吡啶的环、基于嘧啶的环和基于三嗪的环中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的发光显示器件,其特征在于,所述化合物C选自基于四苯基硅的环、基于螺芴的环、基于三苯基膦的环和对甲苯磺酰基的环中的至少一种。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8任一所述的发光显示器件。
10.一种发光显示器件的制备方法,其特征在于,包括:
在基底上形成阳极;
在所述阳极上形成发光层,所述发光层至少包括化合物A、化合物B以及化合物C,所述化合物A与所述化合物B复合形成激基复合物,所述化合物C作为催化剂促进所述化合物A与所述化合物B复合形成所述激基复合物,所述激基复合物的能级差ΔEST小于50meV;
在所述发光层上形成阴极。
11.根据权利要求10所述的发光显示器件的制备方法,其特征在于,通过调节所述化合物C在所述发光层中的掺杂浓度,以调节所述激基复合物的发光波长λPL为:390λPL590。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择