[发明专利]一种声波谐振器的制作工艺及声波谐振器

权利要求书

1.一种声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述谐振器包括衬底、声学镜以及由底电极层、压电层和顶电极层组成的谐振薄膜层，其中所述谐振薄膜层中的与所述声学镜在所述衬底的厚度方向重叠的区域被定义为投影区域，所述工艺具体包括：在所述谐振薄膜层中设置无定形态部分，所述无定形态部分的一侧位于所述投影区域之内或与所述投影区域的边界重合，所述无定形态部分的另一侧位于所述投影区域之外，所述压电层中处于所述无定形态部分的部分被处理成无定形态以不具有压电性。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述无定形态部分包括所述谐振薄膜层中在垂直于所述衬底表面的部分区域上依次层叠的所述底电极层、所述压电层和所述顶电极层。

3.根据权利要求2所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，在制作所述底电极层之前包括以下步骤：

涂覆光刻胶并对所述光刻胶进行图形化，所述光刻胶图形化后形成的第一开口位置为所述无定形态部分所对应的位置。

4.根据权利要求3所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述涂覆光刻胶并进行图形化之后包括以下步骤：

对位于所述第一开口位置内的底层表面进行粗糙化处理，再去除所述光刻胶；以及

依次制作所述底电极层、所述压电层和所述顶电极层。

5.根据权利要求4所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述粗糙化处理采用PVD工艺结合Ar plasma工艺。

6.根据权利要求4所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述粗糙化处理后所述底层表面的粗糙度为100A-2000A。

7.根据权利要求1所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述无定形态部分为所述谐振薄膜层中所述压电层的其中一部分。

8.根据权利要求7所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，在制作所述底电极层和所述压电层之后还包括以下步骤：

在所述压电层上制作掩膜层并对所述掩膜层进行图形化，所述掩膜层图形化后形成的第二开口位置为所述无定形态部分投影于所述衬底上的区域；

对所述第二开口位置下方的所述压电层进行退火处理，再去除掩膜层；以及

制作所述顶电极层。

9.根据权利要求8所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述退火处理采用快速热退火工艺。

10.根据权利要求8所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述掩膜层的材质为SiO₂，厚度至少为1.5μm。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述声学镜包括空腔或布拉格反射层。

12.根据权利要求1-10中任一项所述的声波谐振器的制作工艺，其特征在于，所述压电层的材质包括ZnO、PZT、碳酸锂或铌酸锂。

13.一种声波谐振器，包括衬底、声学镜以及由底电极层、压电层和顶电极层组成的谐振薄膜层，其中所述谐振薄膜层与所述声学镜在所述衬底的厚度方向重叠的区域为投影区域，其特征在于，在所述谐振薄膜层中具有无定形态部分，所述无定形态部分的一侧位于所述投影区域之内或与所述投影区域的边界重合，所述无定形态部分的另一侧位于所述投影区域之外，所述压电层中处于所述无定形态部分的部分被处理成无定形态以不具有压电性。

14.根据权利要求13所述的声波谐振器，其特征在于，所述无定形态部分包括所述谐振薄膜层中在垂直于所述衬底表面的部分区域上依次层叠的所述底电极层、所述压电层和所述顶电极层。