[发明专利]一种抗单粒子辐射加固的GaN器件

权利要求书

1.一种抗单粒子辐射加固的GaN器件，其特征在于，包括：由下到上依次层叠设置的衬底(201)、缓冲层(202)、沟道层(203)、势垒层(204)、钝化层(205)；所述抗单粒子辐射加固的GaN器件的两端分别设有源极(207)、漏极(210)；所述源极(207)、漏极(210)贯穿所述势垒层(204)、钝化层(205)；所述源极(207)、漏极(210)之间设有沟槽，所述沟槽贯穿所述势垒层(204)、钝化层(205)；所述沟槽内设有栅极(208)，所述栅极(208)与所述沟槽内壁之间设有栅介质层(206)；所述栅极(208)、所述漏极(210)上部分别连接有栅场板(209)、漏场板(211)；所述势垒层(204)上还设有埋N阱(212)，所述埋N阱(212)厚度与所述势垒层(204)厚度相同，所述埋N阱(212)与所述沟槽之间设有间隙；所述埋N阱(212)顶部连接有肖特基电极(213)，所述肖特基电极(213)与所述埋N阱(212)宽度相同且上下对应设置，所述肖特基电极(213)顶部设有肖特基电极场板(214)。

2.根据权利要求1所述的抗单粒子辐射加固的GaN器件，其特征在于，所述缓冲层(202)的掺杂杂质为C或Fe，掺杂浓度为1×10¹⁶～2×10¹⁷cm^-3，所述缓冲层(202)的厚度为0～10μm。

3.根据权利要求1所述的抗单粒子辐射加固的GaN器件，其特征在于，所述漏极(210)与所述栅极(208)之间的距离为3～20μm。

4.根据权利要求1所述的抗单粒子辐射加固的GaN器件，其特征在于，所述埋N阱(212)的掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10¹⁹cm^-3。

5.根据权利要求1所述的抗单粒子辐射加固的GaN器件，其特征在于，所述肖特基电极(213)与所述栅极(208)之间的距离小于所述漏极(210)与所述栅极(208)之间的距离。

6.根据权利要求1所述的抗单粒子辐射加固的GaN器件，其特征在于，所述肖特基电极(213)的宽度小于所述漏极(210)与所述栅极(208)之间的距离、所述肖特基电极(213)与所述栅极(208)之间的距离之差。

7.根据权利要求1所述的抗单粒子辐射加固的GaN器件，其特征在于，所述肖特基电极场板(214)的长度小于所述漏极(210)与所述栅极(208)之间的距离。

8.根据权利要求1所述的抗单粒子辐射加固的GaN器件，其特征在于，所述栅介质层(206)的材质为HfO₂、Al₂O₃、SiO₂、SiN_X中的一种或多种。