[发明专利]一种用于半导体抛光的纳米水性硅溶胶的制备方法

权利要求书

1.一种用于半导体抛光的纳米水性硅溶胶材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在无尘实验室中，向分析纯混合醇溶剂中加入分析纯催化剂和高纯水，搅拌均匀，配制溶液A，醇溶剂为甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇中的两种混合物，混合醇在反应体系中的质量分数为60～90wt%；催化剂包括氨水、单乙醇胺、三乙醇胺、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵中的一种或两种混合物，在反应体系中的质量分数为1～8wt%；步骤（1）中的水在反应体系中的质量分数为2～8wt%；

（2）向溶液A中按时按量加入分析纯有机硅源，有机硅源的加入方式分多次加入，加入次数为3～5次，每次加入量为1%～5wt%，随着反应时间加入量逐级递减，每次递减量在0.10%～0.75wt%，每次加入有机硅源后反应时间为2～5h；有机硅源为正硅酸乙酯、正硅酸甲酯中的一种或两种混合物，在反应体系中的质量分数为5～25wt%，且有机硅源中二氧化硅含量大于28%；

（3）在25～45℃下搅拌反应5～15h，搅拌速度150～300r/min，反应完成后加入高纯水，高纯水的用量为反应体系总质量的100%～200%，进行蒸发浓缩，除去醇溶剂，得到用于半导体抛光的纳米水性硅溶胶材料。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中所述蒸发浓缩的温度为85~100℃，蒸发浓缩至反应体系总质量的12.5～50wt%。