[发明专利]金属过孔连接封装结构、基板及封装方法

权利要求书

1.一种金属过孔连接封装结构，包括祼芯片及封装所述祼芯片的基板，其特征在于：

所述裸芯片包括多个金属凸块，

所述基板，在其顶层包括对接区，所述对接区内分布有多个金属过孔，与所述金属凸块熔接；

在基板表层，所述金属过孔相互独立，并且没有孔环。

2.如权利要求1所述的金属过孔连接封装结构，其特征在于：

所述对接区内没有线路。

3.如权利要求2所述的金属过孔连接封装结构，其特征在于：

所述基板包括内层线路，位于所述对接区下方的内层线路，与所述金属过孔通过孔环连接。

4.如权利要求2所述的金属过孔连接封装结构，其特征在于：

所述对接区内的所述金属过孔的中心孔距为80～135μm。

5.如权利要求4所述的金属过孔连接封装结构，其特征在于：

所述对接区内的所述金属过孔的中心孔距为100～130μm。

6.如权利要求4所述的金属过孔连接封装结构，其特征在于：

所述对接区内的所述金属过孔的中心孔距为90～100μm。

7.如权利要求3～6中任意一项所述的金属过孔连接封装结构，其特征在于：

在所述基板表层还包括线路区，

所述线路区内有通过线路连接的多个金属过孔。

8.一种金属过孔连接基板，其特征在于：

在所述基板表层包括对接区，所述对接区内分布有多个金属过孔，与所述金属凸块熔接；

在所述基板表层，所述金属过孔之间相互独立，并且没有孔环。

9.如权利要求8所述的基板，其特征在于：

所述基板包括内层线路，位于所述对接区下方的内层线路，与所述金属过孔通过孔环连接。

10.如权利要求8所述的金属过孔连接基板，其特征在于：

所述对接区内的所述金属过孔的中心孔距为80～135μm。

11.一种金属过孔连接封装方法，其特征在于包括以下步骤：

S1：在基板制作金属过孔；

S2：将祼芯片放置在其凸块与金属过孔对准的位置；

S3：将金属凸块置于金属过孔上，并加热焊接。

12.如权利要求11所述的金属过孔连接封装方法，其特征在于：

在制作所述金属过孔后，在所述基板表层的线路区制作线路层，同时在所述基板表层的对接区不制作线路层。