[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底结构；所述基底结构包含第一开口；所述第一开口深度大于预设深度；

在所述第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层；

对所述第一介质层进行氧化处理，部分所述第一介质层形成氧化层；

去除所述氧化层，得到第二厚度的第一介质层，所述第二厚度小于所述第一厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供基底结构，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有绝缘层和牺牲层交替层叠设置的堆叠结构；

形成若干贯穿所述堆叠结构的沟道孔；

所述在所述沟道孔第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层，包括：

在所述沟道孔的侧壁形成第一厚度的第一介质层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述沟道孔的侧壁形成第一厚度的第一介质层之前，在所述沟道孔的侧壁形成第二介质层；

所述在所述沟道孔的侧壁形成第一厚度的第一介质层，包括：

在所述第二介质层的表面形成具有第一厚度的第一介质层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在所述第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层；

利用低压沉积工艺，在所述第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层；

所述对所述第一介质层进行氧化处理，包括：

利用现场水汽生成ISSG工艺，对所述第一介质层进行氧化处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氮化硅或者多晶硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层，包括：

利用化学气相沉积法或者原子层沉积法，至少在所述第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述氧化层，包括：

利用湿法刻蚀工艺去除所述氧化层；其中；所述湿法刻蚀工艺利用氢氟酸溶液执行所述氧化层的去除。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一厚度与所述第二厚度之比在2:1～3:1范围内。