[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010798554.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113394275A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 西川俊幸;菅原秀人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/285 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其具备：
III-V族半导体层，所述III-V族半导体层包含n型杂质；
第1导电层，所述第1导电层设置于所述III-V族半导体层上，包含Ti(钛)及可成为所述III-V族半导体层的p型杂质的第1元素，且具有第1区域和第1元素浓度高于所述第1区域的第2区域；和
第2导电层，所述第2导电层设置于所述第1导电层上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2区域设置于所述第1区域上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第1元素为Zn(锌)、Mg(镁)或Be(铍)。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第2导电层具有包含Pt(铂)的第3导电层和设置于所述第3导电层上且包含Au(金)的第4导电层。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步具备设置于所述III-V族半导体层与所述第1导电层之间的第5导电层。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第5导电层包含Au(金)及Ge(锗)。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第5导电层包含99.5原子％的Au(金)和0.5原子％的Ge(锗)。
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