[发明专利]包括单晶材料的设备以及相关方法、电子装置和电子系统

权利要求书

1.一种设备，其包括：

存储器阵列，所述存储器阵列包括字线、位线和存储器单元，每个存储器单元耦合到相关联的字线和相关联的位线，并且每个存储器单元包括：

存取装置；

单晶半导体材料，所述单晶半导体材料外延生长在所述存取装置上；

所述单晶半导体材料和金属的一部分的金属硅化物材料；

金属插塞材料，所述金属插塞材料在所述金属硅化物材料上方；以及

存储节点，所述存储节点在所述金属插塞材料上方。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述存取装置包括晶体管，所述晶体管包括第一扩散区和第二扩散区，所述单晶半导体材料外延生长在所述第一扩散区上。

3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一扩散区和所述第二扩散区以及所述单晶半导体材料中的每一者包括单晶硅。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述金属硅化物材料包括单晶硅与钴的硅化物。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其中所述金属插塞材料包括钨。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的设备，其中所述金属硅化物材料在所述单晶半导体材料与所述金属插塞材料之间。

7.一种设备，其包括：

存储器阵列，所述存储器阵列包括字线、数字线和存储器单元，每个存储器单元耦合到相关联的字线和相关联的数字线，并且每个存储器单元包括：

单晶硅材料，所述单晶硅材料与存取装置相邻；

单晶金属硅化物材料，所述单晶金属硅化物材料直接接触所述单晶半导体材料；

金属材料，所述金属材料直接接触所述单晶金属硅化物材料；以及

存储装置，所述存储装置与所述金属材料相邻。

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述单晶金属硅化物材料包括单晶硅化钴。

9.根据权利要求7所述的设备，其中所述单晶硅材料直接接触所述存储器单元的作用区域。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的设备，其中所述作用区域包括单晶硅。

11.根据权利要求7至9中任一项所述的设备，其中所述单晶硅材料包括掺杂剂。

12.一种电子装置，其包括：

行解码器，所述行解码器可操作地耦合到存储器控制器；

列解码器，所述列解码器可操作地耦合到所述存储器控制器；

字线，所述字线可操作地耦合到所述行解码器；

数字线，所述数字线可操作地耦合到所述列解码器；以及

位于所述字线与所述数字线的交点处的存储器单元，所述存储器单元包括存取装置与存储装置之间的触点结构，所述触点结构包括：

单晶金属硅化物材料，所述单晶金属硅化物材料直接接触单晶半导体材料；以及

金属材料，所述金属材料直接接触所述单晶金属硅化物材料。

13.根据权利要求12所述的电子装置，其中所述单晶半导体材料包括磷掺杂的单晶硅，所述单晶金属硅化物材料包括单晶硅化钴，并且所述金属材料包括钨。

14.根据权利要求12或13所述的电子装置，其中所述触点结构缺少多晶硅。

15.根据权利要求12或13所述的电子装置，其中所述触点结构由所述单晶半导体材料、所述单晶金属硅化物材料和所述金属材料构成。