[发明专利]隔离结构和制造隔离结构的方法在审
| 申请号： | 202010799974.6 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN111987038A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 金银贞;李振烈;宋翰相;金秀浩 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离 结构 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
衬底，其包括沟槽和由沟槽限定的多个有源区，其中，所述沟槽包括第一沟槽和比第一沟槽宽的第二沟槽；
内衬，其衬在第一沟槽的内部表面之上和第二沟槽的内部表面之上；
间隙填充层，所述间隙填充层形成在内衬之上以填充第一沟槽和第二沟槽；
覆盖层，其形成在内衬和间隙填充层之间，并在间隙填充层的顶表面之上延伸以在第一沟槽中形成融合的悬垂部分。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，间隙填充层包括氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，间隙填充层包括(i)填充第一沟槽并覆盖第二沟槽的氮化硅层；(ii)形成在氮化硅层之上以填充第二沟槽的氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，间隙填充层包括(i)填充第一沟槽并覆盖第二沟槽的氧化硅层；(ii)形成在氧化硅层之上以填充第二沟槽的氮化硅层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，覆盖层和内衬中的每一个都包括氧化硅。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，覆盖层进一步在间隙填充层的顶表面之上延伸以在第二沟槽中形成未融合的悬垂部分。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，有源区包括：
第一对有源区，其由第一沟槽限定并由融合的悬垂部分支撑；以及
第二对有源区，其由第二沟槽限定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
