[发明专利]一种基于有源电感的低噪声放大器

权利要求书

1.一种基于有源电感的低噪声放大器，其特征在于，包括：

悬浮有源电感电路(1)，基于有源回转器电路原理，利用能提高共模抑制比来降低电路的干扰噪声的2个差分放大器DF1和DF2，构成具有悬浮式电感效应的有源射频小信号输入匹配网络；

共源共栅级联放大电路(2)，用于放大悬浮有源电感电路(1)的输出信号；

第一单端电压可控有源电感电路(3)，耦接所述共源共栅级联放大电路(2)的第一输出端，作为共源共栅级联放大电路(2)的有源电感性负载；

第二单端电压可控有源电感电路(4)，耦接所述共源共栅级联放大电路(2)的第二输出端，作为共源共栅级联放大电路(2)的有源电感性的反馈网络，用于抑制高频谐波干扰和互调分量。

2.根据权利要求1所述的基于有源电感的低噪声放大器，其特征在于，所述悬浮有源电感电路(1)具体包括：

由第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电阻R1，第二电阻R2和第五晶体管R5构成的第一差分放大器DF1，由第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第三电阻R3、第四电阻R4和第六晶体管Q6构成的第二差分放大器DF2；

在第一差分放大器DF1中，所述第一晶体管Q1的漏极端通过第一电阻R1与第一电压端Vc连接，所述第二晶体管Q2的漏极端通过第二电阻R2与所述第一电压端Vc连接，所述第五晶体管Q5的漏极端与所述第一晶体管Q1的源极端且与所述第二晶体管Q2的源极端连接，所述第五晶体管Q5的源极端接地，所述第五晶体管Q5的栅极端与第一偏置电压端Vb1连接，第一晶体管Q1的栅极端与信号输入端Input连接；

在第二差分放大器DF2中，所述第三晶体管Q3的漏极端通过第三电阻R3与所述第一电压端Vc连接，所述第四晶体管Q4的漏极端通过第四电阻R4与所述第一电压端Vc连接，所述第六晶体管Q6的漏极端与所述第三晶体管Q3的源极端且与所述第四晶体管Q4的源极端连接，所述第六晶体管Q6的源极端接地，所述第六晶体管Q6的栅极端与第二偏置电压端Vb2连接，第三晶体管Q3的栅极端与所述第二晶体管Q2的漏极端连接，所述第三晶体管Q3的漏极端还与所述第二晶体管Q2的栅极端连接，所述第四晶体管Q4的漏极端还与所述第一晶体管Q1的栅极端连接，所述第四经晶体管Q4的栅极端与所述第一晶体管Q1的漏极端连接。

3.根据权利要求2所述的基于有源电感的低噪声放大器，其特征在于，所述共源共栅级联放大电路(2)包括第七晶体管Q7和第八晶体管Q8，第七晶体管Q7的栅极端与第七偏置电压端Vb_Q7连接，第七晶体管Q7的源极端与所述第八晶体管Q8的漏极端连接，所述第八晶体管Q8的源极端与所述第二单端电压可控有源电感电路连接，所述第八晶体管Q8的栅极端与所述第三晶体管Q3的漏极连接，所述第七晶体管Q7的漏极端与所述第一单端电压可控有源电感电路相互连接后形成输出端。

4.根据权利要求3所述的基于有源电感的低噪声放大器，其特征在于，所述第一单端电压可控有源电感电路(3)包括第十一晶体管Q11、第十二晶体管Q12；所述第十一晶体管Q11的栅极端与第十一偏置电压端Vb_Q11连接，所述第十一晶体管Q11的源极端与所述第十二晶体管Q12的栅极端连接，所述第十一晶体管Q11的漏极端与所述第十二晶体管Q12的漏极端均与第一电压端Vc连接，所述第十二晶体管Q12的源极端为第一单端电压可控有源电感电路的输出端。

5.根据权利要求3所述的基于有源电感的低噪声放大器，其特征在于，所述第二单端电压可控有源电感电路(4)包括第九晶体管Q9和第十晶体管Q10；所述第九晶体管Q9的栅极端与所述第九偏置电压端Vb_Q9连接，所述第九晶体管Q9的漏极端与所述第十晶体管Q10的栅极端连接，所述第九晶体管Q9的源极端和第十晶体管Q10的漏极端均接地，所述第十晶体管Q10的源极端为所述第二单端电压可控有源电感电路的输出端。