[发明专利]一种多芯片堆叠封装及其制造方法

权利要求书

1.一种多芯片堆叠封装的制造方法，其包括以下步骤：

(1)提供第一芯片，所述第一芯片具有横向的第一尺寸；

(2)在所述第一芯片上固定第二芯片，所述第二芯片具有横向的第二尺寸，其中，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；

(3)在所述第一芯片上形成第一光阻层和在所述第一光阻层中的第一子导电柱，所述第一光阻层的底面与所述第二芯片的底面齐平，所述第一子导电柱设置于所述第二芯片的周边；

(4)在所述第一光阻层上形成第二光阻层以及在第二光阻层中的第二子导电柱和第二导电柱，其中，所述第二导电柱电连接所述第二芯片，所述第一子导电柱和第二子导电柱上下对应形成第一导电柱；

(5)去除所述第二光阻层以露出所述第二子导电柱和第二导电柱；

(6)至少在所述第一导电柱和第二导电柱的底端形成可激光活化的聚合物层；

(7)激光烧蚀并活化所述聚合物层，使得在所述第一导电柱和第二导电柱的底端形成金属纳米颗粒；

(8)提供封装基板，所述封装基板具有多个第三导电柱，所述第三导电柱与所述第一导电柱、第二导电柱一一对应，并通过加热所述金属纳米颗粒实现第三导电柱与第一导电柱和第二导电柱的接合。

2.根据权利要求1所述的多芯片堆叠封装的制造方法，其特征在于：在步骤(6)中，形成聚合物层具体包括：在所述第一光阻层上沉积可激光活化的聚合物层，以形成覆盖所述第一导电柱和第二导电柱的所述聚合物层。

3.根据权利要求2所述的多芯片堆叠封装的制造方法，其特征在于：在步骤(7)中，激光烧蚀并活化所述聚合物层具体包括：利用激光对准所述第一导电柱和第二导电柱的底端部分的聚合物层进行烧蚀和活化，使得该底端部分的聚合物层被活化为金属纳米颗粒。

4.根据权利要求1所述的多芯片堆叠封装的制造方法，其特征在于：在步骤(6)中，形成聚合物层具体包括：采用浸润法将所述第一导电柱和第二导电柱的至少一部分进入到可激光活化的聚合物的液体中，以使得所述聚合物层形成于所述第一导电柱和第二导电柱的底端和至少部分侧壁。

5.根据权利要求4所述的多芯片堆叠封装的制造方法，其特征在于：在步骤(7)中，激光烧蚀并活化所述聚合物层具体包括：利用激光对准所述第一导电柱和第二导电柱的底端部分的聚合物层进行烧蚀和活化，使得该底端部分的聚合物层被活化为金属纳米颗粒，且金属纳米颗粒与所述第一导电柱和第二导电柱的侧壁上的聚合物层不连接。

6.一种多芯片堆叠封装，包括：第一芯片，具有横向的第一尺寸；第二芯片，固定于第一芯片上，所述第二芯片具有横向的第二尺寸，其中，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；第一光阻层，设置于所述第一芯片上以及所述第二芯片周围；第一导电柱，设置于所述第一芯片上，从所述第一光阻层中伸出一部分；第二导电柱，设置于所述第二芯片上，且所述第一导电柱和第二导电柱的底端齐平；金属纳米颗粒，设置于所述第一导电柱和第二导电柱的底端；封装基板，所述封装基板具有多个第三导电柱，所述第三导电柱与所述第一导电柱和第二导电柱一一对应，并且通过加热所述金属纳米颗粒实现第三导电柱与第一导电柱和第二导电柱的接合；进一步的，还包括由可激光活化的聚合物材料形成的聚合物层，所述聚合物层包裹所述第一导电柱和第二导电柱的侧壁。

7.根据权利要求6所述的多芯片堆叠封装，其特征在于：还包括底部填充层。

8.根据权利要求7所述的多芯片堆叠封装，其特征在于：其中，所述底部填充层填充于所述封装基板与所述第一光阻层之间，且包裹所述聚合物层。

9.根据权利要求8所述的多芯片堆叠封装，其特征在于：其中，所述底部填充层填充于所述聚合物层和所述封装基板之间。