[发明专利]阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

衬底结构层，所述衬底结构层设置于所述基底上；

薄膜晶体管功能层，所述薄膜晶体管功能层设置于所述衬底结构层上；以及

至少一压应力中和层，所述压应力中和层至少集成在所述衬底结构层上，所述压应力中和层的张应力大于压应力；

所述压应力中和层包括第一压应力中和层，所述衬底结构层包括依次设置的阻挡结构层和缓冲结构层，所述第一压应力中和层集成在所述阻挡结构层上；

所述阻挡结构层的压应力大于张应力，所述阻挡结构层包括依次设置在所述基底上的第一无机层和第二无机层，所述第一压应力中和层集成在所述第一无机层靠近所述基底的一侧上；所述第一无机层的张应力大于压应力，所述第二无机层的压应力大于张应力，所述第一压应力中和层与所述第一无机层的厚度之和大于所述第二无机层的厚度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述压应力中和层的数量为两层，两层所述压应力中和层分别为所述第一压应力中和层和第二压应力中和层；

所述第二压应力中和层集成在所述缓冲结构层上。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲结构层的压应力大于张应力，所述缓冲结构层包括第三无机层，所述第二压应力中和层集成在所述第三无机层靠近所述基底的一侧上。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一压应力中和层与所述第一无机层一体成型。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机层包括氮化硅和/或氮氧化硅，所述第二无机层包括氧化硅；

所述第一压应力中和层包括氮化硅和/或氮氧化硅。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第三无机层的压应力大于张应力；

所述第二压应力中和层的厚度小于所述第三无机层的厚度。