[发明专利]真空灭弧室筒体、真空灭弧室屏蔽罩及真空灭弧室

说明书

本发明涉及一种真空灭弧室筒体、真空灭弧室屏蔽罩及真空灭弧室。真空灭弧室屏蔽罩，为单体零件，包括：主罩体，为筒状结构，以主罩体的轴向为上下方向，主罩体的上下端分别设有上翻边和下翻边；上翻边，从所述主罩体的上端开始向主罩体的径向外侧翻折，上翻边与主罩体形成横截面为开口朝下的U形结构；下翻边，从所述主罩体的下端开始向主罩体的径向外侧翻折，下翻边与主罩体形成横截面为开口朝上的U形结构；法兰边，从上翻边和下翻边中的其中一个的端部开始向远离主罩体的一侧延伸，法兰边垂直于主罩体的轴线设置，用于封接在上瓷壳和下瓷壳之间。

技术领域

本发明涉及一种真空灭弧室筒体、真空灭弧室屏蔽罩及真空灭弧室。

背景技术

高电压等级的陶瓷真空灭弧室，其筒体一般包括两个瓷壳，以满足高电压等级下的绝缘要求。相邻两个瓷壳之间封接有屏蔽罩，屏蔽罩不仅能够屏蔽三交面（即瓷壳与金属、真空的交汇处）的二次电子，防止瓷壳沿面击穿，而且也起到均匀电场的作用。其中，由于耐压的要求，屏蔽罩上设有翻边。

如图1所示，真空灭弧室的筒体包括上瓷壳1和下瓷壳2，筒体内设有屏蔽罩，屏蔽罩包括主罩体3，主罩体3的上端设有上翻边4，主罩体3的下端设有法兰边5，法兰边5封接在上瓷壳1和下瓷壳2之间，上述的屏蔽罩只能实现单向屏蔽，即只能屏蔽上瓷壳1与法兰边5、真空三交面的二次电子，而不能屏蔽下瓷壳2与法兰边5、真空三交面的二次电子。

为了解决上述问题，如图2所示，真空灭弧室的筒体包括上瓷壳11和下瓷壳12，筒体内设有屏蔽罩，屏蔽罩包括主罩体13，主罩体13的上端设有上翻边14，主罩体13的下端设有下翻边15，主罩体13的外侧于凸起的下方焊接有封接环16，封接环16封接在上瓷壳1和下瓷壳2之间，该屏蔽罩通过上翻边14和下翻边15实现双向屏蔽。

在焊接时，上述屏蔽罩、封接环、上瓷壳和下瓷壳先是预装配到一起，然后再放入真空炉中进行高温钎焊，在将上述零件放入真空炉之前，需要在屏蔽罩和封接环之间设置焊料圈，焊料圈在高温下融化，以使屏蔽环和封接环焊接在一起。但上述的筒体零件较多，不仅不利于装配，而且焊接时需要使用较多的焊料，增加了成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种真空灭弧室筒体，以解决现有技术中实现双向屏蔽的筒体零件较多，而导致装配不方便且焊接时成本较高的技术问题；本发明的目的还在于提供一种真空灭弧室屏蔽罩，以解决现有技术中实现双向屏蔽的筒体零件较多，而导致装配不方便且焊接时成本较高的技术问题；本发明的目的在于提供一种真空灭弧室，以解决现有技术中实现双向屏蔽的筒体零件较多，而导致装配不方便且焊接时成本较高的技术问题；。

为实现上述目的，本发明真空灭弧室屏蔽罩的技术方案是：

真空灭弧室屏蔽罩，为单体零件，包括：

主罩体，为筒状结构，以主罩体的轴向为上下方向，主罩体的上下端分别设有上翻边和下翻边；

上翻边，从所述主罩体的上端开始向主罩体的径向外侧翻折，上翻边与主罩体形成横截面为开口朝下的U形结构；

下翻边，从所述主罩体的下端开始向主罩体的径向外侧翻折，下翻边与主罩体形成横截面为开口朝上的U形结构；

法兰边，从上翻边和下翻边中的其中一个的端部开始向远离主罩体的一侧延伸，法兰边垂直于主罩体的轴线设置，用于封接在上瓷壳和下瓷壳之间。

有益效果是：真空灭弧室屏蔽罩通过其上的法兰边封接在上瓷壳和下瓷壳之间，满足法兰边与两个瓷壳的气密性封接；另外，真空灭弧室屏蔽罩上的上翻边和下翻边不仅满足对法兰边与两个瓷壳封接处三交面的二次电子的屏蔽，而且在两个瓷壳的腔体内还起到了均压的作用。另外，由于上述的真空灭弧室屏蔽罩为单体零件，因此，真空灭弧室屏蔽罩的装配方式较为简便，提高了装配效率；而且只需在真空灭弧室屏蔽罩的法兰边处进行焊接即可，减少了焊接位置，节省了焊料，降低了成本，同时还增加了真空灭弧室屏蔽罩固定后的可靠性。