[发明专利]一种电解铜箔防氧化剂及使用其的防氧化工艺

说明书

本发明公开了一种电解铜箔防氧化剂及使用其的防氧化工艺，所述电解铜箔防氧化剂包括有机羧酸及其衍生物盐、PH调和剂、成膜助剂、表面活性剂、还原性糖和去离子水，其中，所述有机羧酸及其衍生物盐的浓度为1‑10g/L，所述PH调和剂的浓度为0.1‑1g/L、所述成膜助剂的浓度为1‑5g/L、所述表面活性剂的浓度为1‑5g/L、所述还原性糖的浓度为1‑5/L。本发明提供一种电解铜箔防氧化剂，其在高温情况下均能达到很好的防氧化效果。

技术领域

本发明涉及金属防氧化剂领域。更具体地说，本发明涉及一种电解铜箔防氧化剂及使用其的防氧化工艺。

背景技术

电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)、锂离子电池制造的重要的材料。在当今电子信息产业高速发展中，电解铜箔被称为电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”。电解铜箔生产是经过几千个细微的小环节结合起来的工艺，在所有的工艺过程中，合格铜箔的防氧化处理是一个很关键的过程。它直接决定了铜箔在用到终端设备上的性能，更直接影响终端设备的性能与质量。

长期以来，电解铜箔的防氧化都是采用重金属盐配合电镀的方式，在电解铜箔表面镀上一层防氧化膜，保证电解铜箔在储存运输过程中不被氧化。目前国内外，尤其是欧盟对铜箔产品的环保管控越来越严，一些含铬的防氧化剂已经不能再使用，铜箔生产厂家迫切需要新一代新型防氧化添加剂。

发明内容

本发明的目的是提供一种电解铜箔防氧化剂。

为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种电解铜箔防氧化剂，包括以下组分：

有机羧酸及其衍生物盐、PH调和剂、成膜助剂、表面活性剂、还原性糖和去离子水，其中，所述有机羧酸及其衍生物盐的浓度为1-10g/L，所述PH调和剂的浓度为0.1-1g/L、所述成膜助剂的浓度为1-5g/L、所述表面活性剂的浓度为1-5g/L、所述还原性糖的浓度为1-5/L。

进一步地，所述有机羧酸及其衍生物盐的浓度为5g/L，所述PH调和剂的浓度为0.5g/L、所述成膜助剂的浓度为2.5g/L、所述表面活性剂的浓度为2.5g/L、所述还原性糖的浓度为2.5g/L。

在上述技术方案中，采用该配方时，电解铜箔防氧化剂的使用效果最佳。

进一步地，所述有机羧酸及其衍生物盐为苯甲酸钠、对苯二甲酸钠、均三苯甲酸、均三苯甲酸钠、乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二钠中的任意一种或几种混合而成。

在上述技术方案中，有机羧酸及其衍生物盐对铜离子的螯合能力强，可在电解铜箔的表面更容易形成防氧化膜。

进一步地，所述PH调和剂为甲酸、乙酸、丙酸、盐酸、硼酸中的任意一种或几种混合而成。

进一步地，所述成膜助剂为硅烷偶联剂和辅剂混合而成。

在上述技术方案中，硅烷偶联剂是常见的铜材料防氧化剂，只有和辅剂形成复合物才能提升防氧化的效果，单纯的硅烷偶联剂有防氧化效果，但不耐高温，但是加入辅剂后形成复合物，既可以防氧化又可以耐高温。

进一步地，所述硅烷偶联剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ－二乙烯三胺丙基甲基二甲氧基硅烷、N-2-氨乙基-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(2,3-环氧丙氧)丙基甲基二甲氧基硅烷、3-(2,3-环氧丙氧)丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷中的任意一种或几种混合而成。

进一步地，所述辅剂为偏铝酸钠、偏铝酸钾、硅酸钠、硅酸钾、硅酸铵、纳米氧化锆溶胶、纳米二氧化硅溶胶、纳米三氧化二铝溶胶、纳米二氧化钛溶胶中的任意一种或几种混合而成。

进一步地，所述表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、硬脂酸聚氧乙烯酯、烷基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、蓖麻油聚氧乙烯醚、异构十三醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇、丙二醇嵌段聚醚、十二烷基磺酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的任意一种或几种混合而成。