[发明专利]一种电子束增材制造装置及方法在审

专利信息
申请号: 202010802432.X 申请日: 2020-08-11
公开(公告)号: CN111957959A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 郭超;马旭龙;阚文斌 申请(专利权)人: 天津清研智束科技有限公司
主分类号: B22F3/105 分类号: B22F3/105;B33Y30/00
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 300300 天津市东丽*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 电子束 制造 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种电子束增材制造装置,包括成形室(1)和位于成形室(1)内的铺粉平台(2),其特征在于,所述电子束增材制造装置还包括:

泛射电子枪(3),设置于所述成形室(1)内,用于产生泛射电子束,所述泛射电子束覆盖成型区域的粉末层,并对所述粉末层进行低能量轰击,以使所述粉末层的粉末颗粒带有正电荷;

聚焦电子枪(4),设置于所述成形室(1)内,用于产生聚焦电子束,所述聚焦电子束扫描熔化所述粉末层,所述粉末颗粒带有的正电荷能中和所述聚焦电子束产生的电子束负电荷,所述聚焦电子束的加速电压大于所述泛射电子束的加速电压。

2.根据权利要求1所述的电子束增材制造装置,其特征在于,所述泛射电子束形成的光斑直径大于所述聚焦电子束形成的光斑直径。

3.根据权利要求1所述的电子束增材制造装置,其特征在于,所述聚焦电子枪(4)包括第一阴极、第一栅极和第一阳极,所述第一阳极接地,所述第一阴极加载有第一负电压,所述第一栅极相对于所述第一阴极为负电压。

4.根据权利要求3所述的电子束增材制造装置,其特征在于,所述泛射电子枪(3)包括第二阴极、第二栅极和第二阳极,所述第二阳极接地,所述第二阴极加载有第二负电压,所述第二栅极相对于所述第二阴极为负电压,所述第二负电压的绝对值小于所述第一负电压的绝对值。

5.根据权利要求4所述的电子束增材制造装置,其特征在于,所述第一负电压的绝对值为50KV-100KV,所述第二负电压的绝对值为0-2KV。

6.一种电子束增材制造方法,其特征在于,包括:

通过泛射电子束覆盖成型区域的粉末层,并对所述粉末层进行低能量轰击,以使所述粉末层的粉末颗粒带有正电荷;

通过聚焦电子束扫描熔化所述粉末层,所述粉末颗粒带有的正电荷能中和所述聚焦电子束产生的电子束负电荷,所述聚焦电子束的加速电压大于所述泛射电子束的加速电压。

7.根据权利要求6所述的电子束增材制造方法,其特征在于,获取所述聚焦电子束的聚焦电子束电流,并根据所述聚焦电子束电流调整所述泛射电子束的泛射电子束电流,以使得所述粉末颗粒带有的正电荷能中和所述聚焦电子束产生的电子束负电荷。

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