[发明专利]制造影像感测装置的方法

权利要求书

1.一种制造影像感测装置的方法，其特征在于，包括：

形成一介电层在一半导体层的一第一表面上，其中该介电层包括一导电结构；

形成一开口，从该半导体层的一第二表面延伸到该半导体层的该第一表面，以暴露部分该介电层，其中该半导体层的该第二表面相对于该半导体层的该第一表面；

形成一缓冲氧化物层内衬该开口，该缓冲氧化物层部分的一第一表面接触该介电层的暴露部分；

根据一可图案化层，形成一或多个凹槽在该缓冲氧化物层中，该一或多个凹槽从该缓冲氧化物层的一第二表面部分延伸，其中该缓冲氧化物层的该第二表面相对于该缓冲氧化物层的该第一表面；

移除该可图案化层；

延伸该一或多个凹槽穿透该缓冲氧化物层和部分该介电层，以暴露该导电结构的个别位置；及

用一导电材料填充该一或多个凹槽，以形成一或多个衬垫结构，该一或多个衬垫结构配置为提供电性连接到该导电结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少部分的该可图案化层具有至少约8微米的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该半导体层具有约3微米至6微米的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，移除该可图案化层和在该缓冲氧化物层中形成该一或多个凹槽是原位或非原位执行的。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，延伸该一或多个凹槽穿透该缓冲氧化物层和部分该介电层进一步包括使用含氟的蚀刻气体，蚀刻该缓冲氧化物层和该介电层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该导电结构包括一侧向铜互连结构和基于氮化物的一导电层包覆该侧向铜互连结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括形成一或多个感光区域在该半导体层中，其中该一或多个感光区域由该一或多个衬垫结构环绕。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

形成一或多个半导体装置在该半导体层的该第一表面上；

沉积一氮化物层在该半导体层的该第一表面上，其中该氮化物层环绕该一或多个半导体装置；

沉积该介电层；及

形成一或多个垂直导电结构在该介电层中，以电性连接该一或多个半导体装置到该导电结构。

9.一种制造影像感测装置的方法，其特征在于，包括：

形成多个感光区域在一半导体层的一第一表面上；

形成牺牲性的一隔离区域在该半导体层的该第一表面上，该隔离区域环绕所述多个感光区域；

形成一介电层在该半导体层的该第一表面上，该介电层包括一导电结构；

蚀刻该半导体层的一第二表面以形成一开口，该开口暴露该隔离区域的一底表面，该半导体层的该第二表面相对于该半导体层的该第一表面；

移除至少部分该隔离区域，以暴露该介电层；

形成一缓冲氧化物层内衬该开口；

形成一可图案化层，具有一图案在该开口中；

根据该可图案化层的该图案，形成一或多个凹槽在该缓冲氧化物层中，该一或多个凹槽从该缓冲氧化物层的一第二表面部分延伸，该缓冲氧化物层的该第二表面相对于该缓冲氧化物层的一第一表面；

移除该可图案化层；

基于该一或多个凹槽，蚀刻该缓冲氧化物层和部分的该介电层，以暴露该导电结构的个别位置；及

用一导电材料填充该一或多个凹槽，以形成一或多个衬垫结构，该一或多个衬垫结构配置为提供电性连接到该导电结构。

10.一种制造影像感测装置的方法，其特征在于，包括：

形成多个像素在一半导体层的一第一表面上，所述多个像素配置为吸收来自该半导体层的一第二表面的近红外辐射，该半导体层的该第二表面相对于该半导体层的该第一表面；

形成一介电层在该半导体层的该第一表面上，该介电层包括一导电结构；

蚀刻该半导体层的该第二表面以形成一开口，该开口相邻所述多个像素；

使用一缓冲氧化物层内衬该开口；

形成一可图案化层，具有一图案在该开口中；

根据该可图案化层的该图案，形成一或多个凹槽在该缓冲氧化物层中，该一或多个凹槽从该缓冲氧化物层的一第二表面部分延伸，该缓冲氧化物层的该第二表面相对于该缓冲氧化物层的一第一表面；

使用氧基电浆灰化该可图案化层，同时维持至少该缓冲氧化物层覆盖该导电结构；

基于该一或多个凹槽，蚀刻该缓冲氧化物层和部分的该介电层，以暴露该导电结构的个别位置；及

用一导电材料填充该一或多个凹槽，以形成一或多个衬垫结构，该一或多个衬垫结构配置为提供电性连接到该导电结构。