[发明专利]一种新型ta-c涂层工艺

权利要求书

1.一种新型ta-c涂层工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：清洗等离子清洗基体表面杂质；

S2：在已加温的真空炉腔内进行氩离子轰击以清除基体表面杂质，真空炉腔中温度为160-190℃，氩离子轰击频率为10-13Hz；

S3：基体表面放置于靶座的永磁场与电磁场叠加的靶材磁场内，提供磁场磁控溅射技术来沉积并通过Cr打底；

S4：采用HiPIMS磁控电源负偏压，矩形靶做的永磁场与电磁的叠加，很大程度够上增加Ar的离化率；

S5：形成的ta-c涂层与基片的热膨胀系数有差异改变，与基片原子相互扩散可以有效提高粘着力形成ta-c功能层。

2.如权利要求1所述的一种新型ta-c涂层工艺，其特征在于，针对S1中，清洗基体通过用异丙醇蒸汽清洗，随后用乙醇、丙酮浸泡基片后快速烘干，以去除表面油污。

3.如权利要求1所述的一种新型ta-c涂层工艺，其特征在于，针对S2中，真空炉腔的真空须控制在1.6*104Pa以上，真空炉腔中温度为160-190℃去除基片表面水分，提高膜与基片的结合力。

4.如权利要求1所述的一种新型ta-c涂层工艺，其特征在于，针对S3中，预溅射通过离子轰击以除去靶材表面氧化膜，氩气电离后形成的正离子在正交的磁场和电场的作用下，高速轰击靶材，使溅射出的靶材粒子到达基片表面沉积成膜。

5.如权利要求1所述的一种新型ta-c涂层工艺，其特征在于，针对S4中，靶座的永磁场与电磁场叠加的靶材磁场，放电弧放电产生的离子在磁场中做圆周运动，过滤掉大颗粒，配合靶座的永磁场在高密度的等离子区域内让阴极的功率保持在较低水平上，靶材冷却时间长。